Приращение - емкость
Cтраница 4
Емкостный метод применяют для измерения скорости осаждения только диэлектрических пленок. В основу метода положено измерение малых приращении емкости плоского гребенчатого конденсатора при осаждении на него пленки диэлектриков. Емкость С возрастает вследствие изменения диэлектрической проницаемости. При малых толщинах диэлектрических пленок изменение емкости ДС от толщины диэлектриков практически имеет линейный характер. Измерения приращений емкости производятся с помощью измерительного моста. [46]
Отсутствие биений звуковой частоты, определяемое по вспышке неоновой лампы Л4, показывает, что частоты сбалансированы, а необходимое для этого изменение величины емкости образцового конденсатора со шкалой в процентах влажности указывает на содержание влага в материале. Метод биений позволяет производить весьма точный отсчет приращений емкости и значительно повышает чувствительность влагомера. Применение в схеме диода Л2, служащего для уравновешивания амплитуды высокочастотного напряжения, несколько снижает влияние диэлектрических потерь на измерение емкости и улучшает измерительную схему влагомера. [47]
Индикаторы уровня ( рис. 44) предназначены для непрерывного дистанционного измерения уровня в емкостях с взрывоопасными жидкими нефтепродуктами. Принцип работы индикаторов уровня основан на преобразовании приращения емкости датчика в электрический сигнал пропорционально высоте измеряемого уровня жидкости в резервуаре. [48]
 |
Выполнение ручек ячеек.| Конструкция рычажных съемников металли ческих ( а и пластмассовых ( б. [49] |
С увеличением быстродействия ЭВМ применение контрольных элементов на платах ячеек нецелесообразно, так как проводники, подключающие контрольные элементы к сигнальным цепям ( выходам или входам логических элементов), обладают собственной емкостью и приводят к потере быстродействия. Так, в ячейках машины CPS-30 фирмы Computer Signal Processors ( США) это приращение емкости составляет около 1 0 пФ на каждый 1 см длины проводника. [50]
 |
Конденсатор переменной емкости ( а и полупеременный ( подстроечный конденсатор ( б. [51] |
Существенное значение имеет профиль пластин ротора, от которого зависит закон изменения емкости. В прямоемкостных конденсаторах радиус роторных пластин по всему профилю одинаковый, в связи с чем равное приращение угла поворота ротора вызывает равное приращение емкости. Для среднелинейных конденсаторов характерно постоянство относительного изменения емкости по всему диапазону. В этих конденсаторах поворот пластин на 1 вызывает тем большее приращение емкости, чем больше ее абсолютная величина. Такой закон изменения емкости удобен при соединении нескольких конденсаторов в один блок. Статором в них служит керамическое основание, а ротором - керамический диск. Поверхности основания и диска, обращенные друг к другу, покрыты в некотором секторе тонким слоем серебра. [52]
От профиля пластин ротора зависит закон изменения емкости. В прямоемкостных конденсаторах радиус роторных пластин пр всему профилю одинаковый, в связи с чем равное приращение угла поворота ротора вызывает равное приращение емкости. Для среднелинеиных конденсаторов характерно постоянство относительного изменения емкости по всему диапазону. В этих конденсаторах поворот пластин на равный, сколь угодно малый угол вызывает тем большее приращение емкости, чем больше ее абсолютная величина. Такой закон изменения емкости особенно удобен при соединении нескольких конденсаторов в один блок. [53]
Главная задача, которую нужно решить России - это преодоление дефицита основного и оборотного капитала. Во-вторых, товаропроизводителям необходимо ориентироваться на медленные темпы приращения емкости внутреннего рынка страны и, следовательно, на относительно небольшие ежегодные приращения объема производства товаров и услуг. [54]
Измерение приращения емкости производят на частоте 470 кГц с помощью измерительного моста. Предварительно мост приводится в состояние равновесия, в результате чего сигнал на выходе моста, измеряемый прибором, равен нулю. Затем путем изменения емкости эталонного конденсатора мост разба-лансируется и устанавливается такое приращение емкости, которое равно приращению емкости датчика при осаждении на него пленки заданной толщины. По мере осаждения на поверхность датчика пленки диэлектрика мост снова приближается к состоянию равновесия. Момент равновесия моста [ соответствует осаждению пленки заданной толщины, при этом выдается сигнал для автоматического прекращения процесса напыления. [55]
Выберем индуктивность контура гетеродина так, чтобы на средней частоте поддиапазона выполнялось условие точного сопряжения. Предположим сначала, что в контур гетеродина корректирующие конденсаторы не включены. В этом случае приращение угла поворота Дер вызывает одинаковое по величине приращение емкостей контуров преселектора и гетеродина. [56]
Страницы: 1 2 3 4