Соответствующее приращение

Cтраница 3

Таким образом, р равно отношению приращения коллекторного тока к соответствующему приращению базового тока при постоянном коллекторном напряжении. [31]

Чувствительность часто определяется как отношение конечного приращения выходной величины к соответствующему приращению входной величины. [32]

Здесь первые индексы у символов de-e, de-i и di-t характеризуют соответствующие приращения с позиции области а, а вторые - с позиции системы в целом, из них индексы е и е указывают на внешние, а индексы I и t - на внутренние причины приращений. [33]

Генератор наносекундных импульсов на лампах со вторичной эмиссией. [34]

Увеличение положительного напряжения на управляющей сетке на величину Д 0 вызывает соответствующее приращение напряжения на аноде и диноде. При этом потенциал анода уменьшается на величину Диа, а потенциал динода увеличивается на величину Дцд. [35]

Так как полное приращение свободной энергии по любому пути складывается из соответствующих приращений на каждой его стадии, то оно не зависит от выбора пути превращений и равняется всегда AF. Применение формулы 3.14 на каждой стадии произвольного пути приводит к тому, что произведение констант равновесия всех его стадий также всегда одинаково и равно К. [36]

Определение коэффициентов влияния производится путем приращений параметра / j и определения соответствующих приращений показателя. [37]

Характер кривых свидетельствует о том, что отношение приращения дебита к соответствующему приращению перепада давления постоянно уменьшается, а по скв. [38]

Для него необходимо отвести регистр 9, соседний с регистром, содержащим соответствующее приращение. [39]

Влияние воздушного зазора на деформацию основной петли гистерезиса. [40]

ДЯ - приращение напряженности магнитного поля, создаваемое импульсом; AS - соответствующее приращение магнитной индукции. [41]

Заметим также, что из (10.2) в общем случае не следует независимость соответствующих приращений. [42]

При переходе от грани с координатой х к грани х dx силы получают соответствующие приращения. В осевых сечениях по свойствам симметрии силовые факторы остаются одинаковыми. [43]

Графическое интегрирование хроматографи - % ческих кривых. [44]

Из рисунка 21 6 следует, что в случае хро-матограмм с растянутым фронтом соответствующие приращения интеграла ( г) Дг увеличиваются с ростом высоты z, что соответствует вогнутой изотерме. [45]

Страницы: 1 2 3 4