Природа - дефект
Cтраница 1
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов из паровой фазы. [1] |
Природа дефектов не исследована. Зависимость подвижности носителей от температуры для монокристаллов близкого стехиометрического состава подчиняется закону и - Т-2, что связано с рассеянием как на оптических, так и на акустических фононах. [2]
Природа дефектов, служащих центрами свечения в технических люминофорах, может быть различной. В некоторых люминофорах ими могут быть избыточные атомы одной из компонент основной решетки кристалла, получающиеся при термической обработке. Примером таких люминофоров являются ZnO и сульфиды ZnS, CdS. Но гораздо чаще встречаются и имеют большое значение для технических экранов люминофоры, требующие для работы внесения посторонних примесей атомов. Люминофор в этом случае называют активированным, а примесный элемент ( чаще всего металл) - активатором. Упомянутые выше сульфиды также могут быть активированы примесными металлами. От рода примеси зависит спектр люминесценции, и ее концентрация при наибольшей яркости подбирается эмпирически. [3]
Природа дефектов может быть различной и простирается от микроуровня ( электронного, атомного) до дефектов в микрообъемах вещества. По этой классификации дефекты кристаллической решетки разделяют на нульмерные ( точечные), одно -, двух - и трехмерные. Нульмерные дефекты в первом приближении занимают в кристалле область искажений, соизмеримую по всем направлениям с размером атома или электрона. Одномерные дефекты имеют протяженность, значительно превосходящую размер атомов в каком-либо одном направлении ( в других направлениях они нульмерны), двухмерные - в двух и трехмерные - в трех направлениях. [4]
Природа дефектов, образующихся в результате облучения электронами и у-квантами, исследована значительно полнее, чем природа нарушений, вызываемых быстрыми нейтронами. Сложность явлений при облучении быстрыми нейтронами, как указывалось выше, обусловлена большой энергией, получаемой первыми атомами, выбиваемыми из кристаллической решетки. [5]
Природа дефектов в окисных полупроводниках может быть самой разнообразной, и ее не всегда можно установить. [6]
Природа дефектов, их величина, форма и распределение в образце стекла, а также характер изменения их под влиянием окружающей среды и в процессе испытания до сих пор пока не изучены. [7]
Какова природа дефектов, ответственных за независимый от ориентации спинов канал рекомбинации SK, пока до конца не ясно. [8]
Анализ природы дефектов и их распределения при расшифровке дифракционных картин в кинематическом приближении требует статистического усреднения по большому числу дефектов. [9]
Сообразно природе дефектов в решетке окиси никеля ТЮ ( см. рис. 6) концентрация вакансий ионов никеля должна быть пропорциональна корню шестой степени из парциального давления кислорода. [10]
О природе дефектов, влияющих на выход годных конденсаторов, известно немного. Однако установлено, что выбор материалов для изготовления тонкопленочных конденсаторов и тщательность проведения процессов оказывают определяющее влияние на выход. В настоящее время даже мелкозернистые полированные подложки из окиси алюминия не могут быть использованы для создания тонкопленочных конденсаторов из-за низких выходов. Другие факторы, определяющие выход годных конденсаторов, - выбор металлов для обкладок [19, 20] ( см. также табл. 2) и чистота условий технологического процесса. Очевидно, что при малых толщинах металлических обкладок и диэлектрических пленок - всего несколько тысяч ангстрем - загрязнения на подложке или различных слоях, образующих конденсатор, должны быть исключены. Химические загрязнения органическими пленками или неорганическими солями обычно сводятся к минимуму включением специальных операций очистки, в то время как внешние загрязнения могут быть существенно уменьшены проведением технологического процесса в условиях чистой комнаты с концентрацией пылинок от 30 до 150 на кубический метр [3, 25] для пылинок с размерами больше 0 3 мкм. [11]
С целью выявления природы остаточных дефектов определялась степень компенсации слоев, полученных в различных режимах, как отношение разностной концентрации доноров и акцепторов к их сумме. [12]
 |
Термическое высвечивание кристалла NaCl в. [13] |
Поэтому представления о природе дефектов и об их роли в этих фосфорах продолжают носить слишком общий характер. [14]
 |
Схема классификации дефектов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4