Cтраница 2
Если тело изменяет массу и конфигурацию только вследствие присоединения частиц материала извне, то его называют наращиваемым ( или растущим) телом. Процесс наращивания, осуществляется посредством присоединения конечных объемов дополнительного материала в отдельные моменты времени, называют дискретным наращиванием. [16]
Теория послойного роста кристалла исходит из различной вероятности присоединения частиц к разным участкам кристаллической решетки. Это приводит к разрастанию зародыша по всей грани и к послойному ее росту - каждый новый слой образуется после завершения роста предыдущего слоя. Края незавершенных слоев - ступени - движутся при росте вдоль грани. [17]
К, Ф2 - тормозящая сила, обусловленная присоединением частиц. [18]
Это пример соединения, которое становится способным к фрагментации только после присоединения нукдеофильной частицы. [19]
![]() |
Последовательность фазовых переходов второго рода в процессе кристаллизации сталей ( 1 2 3. [20] |
Одной из физических причин возникновения конкуренции может служить следствие уменьшения вероятности присоединения частиц к кластерам и наступление момента недостаточности количества выделенной при этом системой теплоты для выполнения принципа взаимности Онзагера или принцип противодействия. Принцип взаимности Онзагера является важным положением теории неравновесных процессов, по которому в результате действия на систему одной какой-либо внешней силы в системе появляются внутренние силы, направленные на компенсацию действия внешней силы. Так, например, наличие в газовой смеси температурного градиента ведет к образованию в системе градиента концентрации ( термодиффузия, эффект Соре) и градиента давления, которые стремятся сгладить температурный градиент. [21]
Если m1 ( t) 0, то происходит только процесс присоединения частиц; если / п2 ( 0 0 - только процесс отделения. [22]
Войдя о том, что увеличение массы металлов после кальцинации обусловлено присоединением огненных частиц, и отмечал, что причина этого не установлена. Чаще всего встречаются его высказывания, что флогистон - легчайшая из всех тел материальная субстанция. Он не раз подчеркивал, что горючая субстанция не только нечто реальное и нечто материальное, но также земного происхождения. [23]
Модели основаны на принципе компенсации ненасыщенных связей на растущей грани при присоединении частиц из ростовой среды и оответствуют известной модели Косселя. В рамках одной модели удается реализовать рост icex наблюдающихся форм каждого пространственного масштаба - от гранных сристаллических до разветвленных фрактальных и дендритных. Процесс роста исследуется на шличных уровнях - популяция кластеров, индивидуальный кластер, фронт роста - при охранении алгоритма модели. [24]
С учетом структурной особенности ти-арубринов следует допустить путь образования тиофеновых метаболитов как присоединение частицы S2 к дииновой системе, приводящее к дитиацикло-гексадиенам, и последующее выбрасывание атомарной серы. [25]
Послойный рост гранул, как правило, имеет место, когда вероятность присоединения частиц порошка, из которых строится поверхность гранулы, хотя и превышает вероятность их отрыва, однако в общем соизмерима с ней. В результате поверхность гранулы образуется за счет цепи элементарных актов присоединения-отрыва кирпичиков роста, когда каждый кирпичик ищет наиболее выгодное ( в аспекте малой вероятности его отрыва) место, иными словами, - такое, где поверхность его контакта с гранью гранулы максимальна. [26]
Однако с ростом фрактального кластера все большее число его узлов лишается возможности присоединения частиц жидкой фазы, то есть экранируется. Под экранированием понимается прекращение процесса роста на отдельных участках поверхности кластера. Экранированными узлами чаще всего являются узлы, расположенные во впадинах извилистой фрактальной поверхности кластера, куда вероятность проникновения частицы из соседней макрофазы очень мала. Обычно частицы присоединяются к тем узлам роста кластера, которые более доступны для контакта в первые моменты попадания частицы на кластер. Такие узлы роста оказываются расположенными на вы-етунах - поверхности кластера Поэтому экранированные узлы роста фрактального кластера остаются незадействованными. [27]
![]() |
Центр кристаллита макроструктуры. морфологическое сходство микрофотографии ( х 200 ( а и модельной структуры ( 6. [28] |
Подходя вплотную к центру, частицы образуют связи и сами становились объектами для присоединения последующих частиц. [29]
На границе фрактального кластера всегда распределено некоторое физическое свойство, ответственное за интенсивность присоединения частиц к кластеру. При этом формируются фрактальные кластеры определенного размера. [30]