Присоединение - электрод
Cтраница 2
Остальные технологические операции ( создание невыпрямляющих контактов, в том числе и управляющего, присоединение электродов и монтаж в корпусе) принципиально ничем не отличаются от аналогичных операций при изготовлении диодов и транзисторов. [16]
 |
Конструкция мощно - го тиристора.| Конструкция тиристора таблеточного типа, рассчитанного на допустимый анодный ток 300 А. [17] |
Остальные технологические операции ( создание невыпрямляющих контактов, в том числе и управляющего, присоединение электродов и монтаж в корпусе) принципиально ничем не отличаются от аналогичных операций при изготовлении диодов и транзисторов. Управляющий контакт создают в месте выхода базовой области на верхнюю поверхность пластинки ( рис. 5.9) либо в центре пластинки, либо по периферии, либо распределенным по площади. [18]
Положительно заряженный ион Ag обладает большим сродством к электрону, так как энергия, выделяющаяся при присоединении электрода к положительному иону, равна энергии ионизации с обратным знаком. Поэтому положительно заряженный ион Ag является сильным окислителем. Ион NO-T в данных условиях ни окислительных, ни восстановительных свойств проявлять не может. [19]
Исправность цепи электрод-кабель, а также эффективность защитного действия электродов контролируются путем измерения потенциала оболочки кабеля по отношению к земле в точке присоединения электрода и на участке между электродами. [20]
Проверка исправности работы протекторных установок ( цепи провод - газопровод) производится путем измерения потенциала газопровода по отношению к земле в точке присоединения электрода и на участке между электродами ( рис. V-15), а также тока и омического сопротивления цепи протекторных установок с контрольными выводами. [21]
Исправность цепи электрод - подземное сооружение, а также эффективность ( защитного действия электродов контролируются путем измерения потенциала сооружения по отношению к земле в точке присоединения электрода и на участке между электродами или путем измерения тока в цепи электрод - подземное сооружение. [22]
Эти основные детали прибора, составляющие потенциометри-ческую схему и схему лампового усилителя, вмонтированы в металлический футляр, в наружной боковой части которого имеются гнезда для присоединения электродов и включения прибора в сеть. На передней панели футляра выведены ручки управления прибора. [23]
 |
Лабораторный потенциометр Л11 - 58. [24] |
Эти основные детали прибора, составляющие потенциометри-ческую схему и схему лампового усилителя, вмонтированы в металлический футляр, в наружной боковой части которого имеются гнезда для присоединения электродов и включения прибора в сеть. [25]
При включении усилительного прибора через основные электроды ( анод и катод в лампе или эмиттер и коллектор в полупроводниковом триоде) в цепь источника питания последовательно с нагрузочным сопротивлением ( рис. 2.1, а) и присоединении электрода управления ЭУ к источнику сигнала ( управления) ЯС в схеме усилителя появляются две цепи: основная и цепь управления. В элек - гронной лампе ocнoJвj a LцeJПj aмJ aетcJLJчepe з JIpoмeжyтoк анод катод, когда между ними проходит поток носителей ( электронов), а цепь управления - через промежуток сетка - катод. [26]
 |
Влияние присоединения протектора на распределение анодных. [27] |
На рис. 37, а дана диаграмма поляризации трехэлектродного элемента с электродами К, / Сг и Къ - Графичеоки найдено, что в данном трехэлектродном элементе электроды К и / Сг будут катодами, а / Сз - анодом. Вследствие присоединения электрода Кк ( рис. 37, б) более отрицательного, чем самый отрицательный электрод рассмотренной трехэлектродной аистемы, распре Деле-ние анодных и катодных участков изменяется. [28]
В кристаллическом счетчике ( работа которого здесь не разбирается) при действии радиоактивных частиц или - квантов образуются свободные вторичные электроны. При присоединении электродов к кристаллу и приложении напряжения облако вторичных электронов начинает двигаться в направлении положительного электрода, при этом отдельные электроны начнут улавливаться ловушками, изменяя общую проводимость кристалла. Смещение зарядов в кристалле приводит к появлению импульсов во внешней цепи, которые могут быть усилены и зарегистрированы. В качестве кристаллических счетчиков могут использоваться кристаллы, являющиеся хорошими изоляторами; при комнатной температуре - алмаз, сернистый цинк, сернистый кадмий, сера, в то время как галогениды серебра и таллия, обладающие при комнатной температуре высокой темновой проводимостью, должны охлаждаться до низких температур. [29]
Холла путем вакуумного напыления на изолирующую подложку тонких слоев полупроводниковых материалов. Контактные площадки для присоединения токовых и холловских электродов также создаются напылением металла в вакууме. Такая технология позволяет получать за один цикл напыления большое число преобразователей, причем размеры активной части пластины без особых трудностей могут быть сделаны порядка десятых долей миллиметра. Толщина активного слоя может быть очень малой ( до 1 мкм), что обусловливает высокую чувствительность преобразователя. [30]
Страницы: 1 2 3 4