Заполнение - зона
Cтраница 1
Заполнение зоны достигается при п 2 электрона на атом. В табл. 2 приведены энергии критических точек зоны для некоторых щелочных металлов. [1]
Заполнение зоны диспетчирования Р4 происходит в тот момент, когда информация какой-либо задачи обрабатывается по плану на определенной операции, а зоны учета - при проведении учета выполнения заданий в конце каждой смены. Распечатка записи заполненной таким образом матрицы дает возможность проследить весь процесс обработки определенного вида информации. [2]
 |
Горелочные устройства двухстадийного горения для котла ТГ-104 энергоблока 200 МВт. [3] |
Заполнение зоны обратных токов осевой трубой для подачи вторичного воздуха не только не увеличивает, но и несколько снижает аэродинамическое сопротивление тракта первичного воздуха. Газовые камеры горелок, амбразуры, воздуховоды и газопроводы остаются, как правило, без изменений. Однако разработан вариант горелки, включающей в себя газовую камеру круглого сечения кольцевого типа. [4]
Для заполнения зоны необходимо 9 / 8 электрона на атом. Вторая зона образована плоскостями ( 220) и представляет собой 12-гранник. [5]
 |
Характер ошибки, возникающей при аппроксимации интеграла Ферми 6Ft. ( т. [6] |
Тогда заполнение зоны проводимости быстро растет с температурой, и полупроводник может стать вырожденным. [7]
Степень заполнения зон легко определяется числом валентных электронов. [8]
 |
Диаграмма состояния системы медь - цинк 220. [9] |
По заполнении зоны наступает такой момент, когда энергия электронов так резко повышается, что данная структура оказывается нестабильной и происходит изменение кристаллического строения сплава. [10]
При порционном заполнении зоны перфорации СР важен выбор буферного разделителя между буровым раствором и СР. Этот буферный раствор должен предупреждать смешение перфорационной среды с буровым раствором как во время заполнения скважины, так и в течение следующих нескольких суток при многоразовых спусках перфораторов или других геофизических приборов. При этом буферный разделитель должен иметь прочную структуру и создавать возможность свободного прохода сквозь него перфоратора. Для предупреждения процесса смешения рекомендуется применять инвертную эмульсию, в которой буферная жидкость противоположна по природе смачивания обеим разделяемым жидкостям. [11]
У полупроводников заполнение зоны проводимости резко возрастает с ростом температуры и до некоторого предела - имеет место резкая зависимость электропроводности от температуры. [12]
По характеру заполнения зон электронами все тела мозшо разде-дкть на две большие группы. [13]
Анализ степени заполнения зон позволяет в дальнейшем исключить из рассмотрения все глубокие зоны, лежащие ниже валентной, так как электроны в этих зонах не участвуют в прохождении электрического тока через кристалл. [14]
Характерное для металлов заполнение зон может получиться и в том случае, когда у изолированного атома уровень энергии валентных электронов заполнен целиком, но при сближении атомов в кристалл происходит настолько сильное расщепление уровней, что верхняя целиком заполненная зона и соседняя с ней пустая зона начинают перекрываться. [15]
Страницы: 1 2 3 4