Присутствие - окись - магний
Cтраница 2
Смола феноло-формальдегидная 23-продукт конденсации фе-ноло-крезольной фракции и фенола с формальдегидом в присутствии окиси магния и едкого натра в качестве катализаторов; твердый продукт. [16]
Процесс ведут в водном растворе при темлературе 100 - 150 С в присутствии окиси магния или соды. [17]
Процесс ведут в водном растворе при температуре 100 - 150 С в присутствии окиси магния или соды. [18]
 |
Схема установки для подземной выплавки серы.| Массив серы, полученной путем подземной выплавки.| Строение молекулы SB. [19] |
Глубокая очистка серы может быть достигнута многократно повторенным длительным нагреванием ее расплава в присутствии окиси магния. Очень чистая сера совершенно не имеет запаха и весьма склонна к переохлаждению. [20]
Какие образуются соединения при взаимодействии натриевой соли 4-нитрохлорбензол - 2-сульфокислоты с серноватистокис-лым натрием в присутствии окиси магния, связывающей выделяющуюся кислоту. [21]
Родамин Ж получают конденсацией моноэтил-о-толуидина с фталевым ангидридом и последующим нагреванием с хлористым этилом в присутствии окиси магния. [22]
Родамин Ж получают конденсацией моноэтил-о-толуидина с фтале-вым ангидридом и последующим нагреванием с хлористым этилом в присутствии окиси магния. [23]
Если исследуемое вещество содержит аммиак, его надо предварительно определить обычным способом, например перегонкой в присутствии окиси магния, и вычесть количество азота, соответствующее его содержанию, из найденного количества азота, связанного с формальдегидом. [24]
Так, Прямой ярко-голубой светопрочный получают взаимодействием 4-аминодифениламин - 2-сульфокислоты ( фенилпараминовой кислоты) с хлоранилом в присутствии окиси магния в течение 6 ч при 60 С и окисле нием образовавшегося сульфопроизводного диарилидодихлорбензохинона действием 20 % - ного ] олеума при 55 С. [25]
Изучение кинетических закономерностей полимеризации метилметакрилата [ 109, ПО ] и стирола [110] под воздействием у-излучения при 20 - 100 в присутствии окиси магния, являющейся - полупроводником [111], показало, что выход полимеров Находится в линейной зависимости от величины / Y2 где / - мощность дозы излучения. Как известно, такая зависимость характерна для обрыва кинетических цепей за счет рекомбинации растущих макрорадикалов и свидетельствует о радикальном механизме полимеризации. В аналогичных условиях на поверхности окиси цинка, являющейся я-полупроводником, метилметакрилат не полимеризуется что, очевидно, связано с тем, что образующиеся ион-радикалы О - легко захватывают свободные электроны, концентрация которых в окиси цинка довольно высока, и дезактивируются, гае успев прореагировать с мономером. [26]
Было также показано, что метилметакрилат полимеризуется при низких температурах ( как несколько выше, так и несколько ниже температуры плавления мономера) в присутствии окиси магния в 30 - 35 раз быстрее, чем в отсутствие добавки. [27]
В соответствии с такой схемой реакции, а именно, в связи с взаимодействием образовавшихся эфира и хлористого магния, возможно также сшивание с помощью одноатомных спиртов в присутствии окиси магния. Но такое сшивание протекает очень вяло, поэтому целесообразно одновременное применение серы и ускорителей. [28]
Однако до сих пор не удалось осуществить присоединение к олефииам простейших галоидопроизводных ( хлористый метил, хлористый этил); исключениями являются присоединение йодистого метила и реакция присоединения хлористого этила к амилену в присутствии окиси магния под давлением при повышенной температуре. [29]
Однако до сих пор не удалось осуществить присоединение к олефинам простейших галоидопроизводных ( хлористый метил, хлористый этил); исключениями являются присоединение йодистого метила и реакция присоединения хлористого этила к амилену в присутствии окиси магния под давлением при повышенной температуре. [30]
Страницы: 1 2 3 4