Присутствие - магнитное поле
Cтраница 4
 |
Спектр электронного резонанса, иллюстрирующий явление самолегиро-ваиия и постороннего легирования. [46] |
Так как S 7 / 2, то в присутствии магнитного поля этот материал обладает 8 зеемановскими уровнями, поэтому резонансный спектр содержит семь линий, как показано-на рис. 17.17 для частоты 6 298 Ггц. [47]
Одноосно-анизотропные пленки могут быть получены методом электролитического осаждения в присутствии магнитного поля, применяемым в производстве цилиндрических пленок при создании элементов памяти на проволоке с пленочным покрытием. Свойства пленок, получаемых данным методом, зависят, в основном, от состава электролитического раствора ( табл. 1), его температуры, величины рН, условий перемешивания, плотности тока, длительности и частоты импульсов ( если используется импульсный ток), а также от качества подложки. Как и для пленок, получаемых испарением в вакууме, при электролитическом осаждении необходимо иметь гладкие и чистые подложки. Такие подложки получают нанесением на основную подложку ( в качеств которой используются тщательно полированный металл или оплавление стекло), ровной металлической пленки. При нанесении одноосно-анизо-тропных пленок электролитическим методом, условия осаждения могут варьироваться в широких пределах. Следует иметь в виду, что состав этих пленок может отличаться от состава электролитической ванны. В ряд случаев, в полученных пленках присутствуют большие напряжения, а в пленках бинарных сплавов наблюдается градиент состава по толщине. [48]
Это свойство выражает собой принцип симметрии кинетических коэффициентов в присутствии магнитного поля. В данном случае оно оказывается автоматическим следствием наличия всего одного вектора Ь, с помощью которого строится тензор хар. [49]
С помощью радиоактивных изотопов показано [1310], что в присутствии однородного коаксиального магнитного поля увеличивается скорость испарения пробы из анода и задерживается перенос частиц элементов из прианодной зоны разряда к катоду. Это приводит к существенному увеличению концентрации частиц одре-деляемых элементов в плазме разряда около анода. Все перечисленные явления, а также пространственно-временная стабилизация облака разряда обуславливают наблюдавшийся рост интенсивности атомных и особенно ионных линий, улучшение воспроизводимости испарения пробы и возбуждения спектра. [50]
Из них следует, что оптимальные напряженности высокочастотных полей в присутствии резонансного магнитного поля уменьшаются в / 7V раз. [51]
Имея это в виду, рассмотрим сверхпроводящее тело с отверстием в присутствии магнитного поля ( фиг. [52]
Другая форма анизотропии, которая возникает при охлаждении магнитных материалов в присутствии магнитного поля, была открыта Мейклджоном и Бином и названа обменной анизотропией. Последняя приводит к смещению центра петли гистерезиса от точки, соответствующей нулевому полю, так что коэрцитивная сила при размагничивании от насыщения в одном направлении больше, чем при размагничивании в другом. Эта обменная анизотропия была обнаружена в кобальте, подвергнутом окислению, и часто может наблюдаться в ферромагнетиках, находящихся в тесном контакте с антиферромагнетиками. При охлаждении такого агрегата ниже антиферромагнитной точки Нееля атомы в антиферромагнитном слое, ближайшие к ферромагнетику, под влиянием обменного взаимодействия ориентируются в направлении поля. Эта ориентация заставляет ферромагнетик сохранять преимущественное направление намагничивания во время размагничивания в более сильных полях, чем если бы один ферромагнетик вновь намагничивался в противоположном направлении. Естественно, приложение магнитного поля не может сильно повлиять на антиферромагнетик, так как последний не обладает результирующим магнитным моментом и, следовательно, не будет перемагничиваться под воздействием внешнего поля. [53]
Имея это в виду, рассмотрим сверхпроводящее тело с отверстием в присутствии магнитного поля ( фиг. [54]
Другая форма анизотропии, которая возникает при охлаждении магнитных материалов в присутствии магнитного поля, была открыта Мейклджоном и Бином и названа обменной анизотропией. Последняя приводит к смещению центра петли гистерезиса от точки, соответствующей нулевому полю, так что коэрцитивная сила при размагничивании от насыщения в одном направлении больше, чем при размагничивании в другом. Эта обменная анизотропия была обнаружена в кобальте, подвергнутом окислению, и часто может наблюдаться в ферромагнетиках, находящихся в тесном контакте с антиферромагнетиками. При охлаждении такого агрегата ниже антиферромагнитной точки Нееля атомы в антиферромагнитном слое, ближайшие к ферромагнетику, под влиянием обменного взаимодействия ориентируются в направлении поля. Эта ориентация заставляет ферромагнетик сохранять преимущественное направление намагничивания во время размагничивания в более сильных полях, чем если бы один ферромагнетик вновь намагничивался в противоположном направлении. Естественно, приложение магнитного поля не может сильно повлиять на антиферромагнетик, так как последний не обладает результирующим магнитным моментом и, следовательно, не будет перемагничиваться иод воздействием внешнего поля. [55]
Из последнего выражения видно, что разница в фазовых скоростях волн вызвана присутствием магнитного поля - отсюда и название - циклотронные волны. [56]
Положим теперь, что электрон движется по той же круговой орбите в присутствии магнитного поля Н, перпендикулярного плоскости орбиты. [57]
Страницы: 1 2 3 4