Взаимное притяжение - электрон
Cтраница 1
Взаимное притяжение электронов и ионов, а также поляризационное взаимодействие ( притяжение) свободных зарядов и нейтральных молекул ( при неполной ионизации газа) приводят к тому, что плазма представляет собой некоторую единую систему взаимодействующих частиц, обладающую специфическими свойствами. [1]
В материалах с низкой подвижностью носителей интенсивность этого процесса возрастает вследствие значительного взаимного притяжения фотоге-нерированных электронов и дырок под действием кулоновских сил. Потери носителей заряда, вызываемые излучательной рекомбинацией, уменьшаются также и при увеличении энергии фотонов, поскольку фотогенерированным носителям, обладающим более высокой начальной кинетической энергией, легче преодолеть кулоновское притяжение. Как показывают экспериментальные исследования, интенсивность излучательной рекомбинации в a - Si: Н зависит от концентрации дефектов, поэтому в высококачественных пленках ее влияние может оказаться незначительным. [2]
Поэтому молекулы и конденсированные фазы могут существовать, если кинетическая энергия атомов, из которых они состоят, достаточно мала. Если же взаимное притяжение электронов несколькими ядрами мало по сравнению с кинетической энергией, то происходит отделение атомов друг от друга. Иначе говоря, молекулы и конденсированные фазы распадаются. [3]
 |
Схема облаков электронов и моле - гом н / который уГ0Л т. [4] |
При образовании ковалентной связи происходит как бы перекрывание электронных облаков. Ковалентная связь сводится к взаимному притяжению электронов к ядрам, осуществляемому благодаря волновым свойствам электронов, движущихся в пространстве между двумя ядрами. [5]
 |
Энергетические диаграммы полупроводников до контакта. [6] |
В результате разности концентраций возникает диффузионное движение частиц: дырки движутся из р-области в и-область, а электроны диффундируют в обратном направлении. Следует особо подчеркнуть, что это движение не связано с взаимным отталкиванием одноименно заряженных частиц или же взаимным притяжением электронов и дырок. Причиной диффузионного движения частиц является только различие их концентраций по обе стороны от границы. [7]
Атомная ковалентная, или гомеополярная, химическая связь образуется путем притяжения между нейтральными атомами за счет совместного обладания электронами. Каждый из атомов передает в совместное пользование электрон и образующиеся электронные пары осуществляют ковалентную связь. Ковалентная связь представляет собой взаимное притяжение электронов к ядрам, возникающее вследствие волновых свойств электронов, движущихся в пространстве между ядрами. [8]
Рассматривая порознь тепловые колебания кристаллической решетки и движения обобществленных кристаллом электронов, удается корректно описать энергетические состояния твердого тела. Однако при этом из рассмотрения выпадают ряд важных эффектов, обусловленных взаимодействием электронов и фононов. Это взаимодействие проявляется в поглощении или испускании электроном фонона ( поглощение приводит, в частности, к затуханию в кристаллах звуковых волн); в рассеянии электрона на фононе, что следует рассматривать как один из основных физических механизмов возникновения электрического сопротивления в кристалле; в обмене фононами, происходящем между парой электронов, что приводит к взаимному притяжению электронов и обусловливает эффект сверхпроводимости. [9]
Литтла состоит в следующем. При коллективном взаимодействии спаренные электроны проявляют себя как заряженная сверхтекучая жидкость, которая не встречает сопротивления при своем движении в твердом теле. Спариванию электронов а металлах при обычных температурах мешают силы кулоновского отталкивания одноименно заряженных электронов. Однако при температурах ниже 20 К силы взаимного притяжения электронов в металлах становятся больше сил отталкивания, что приводит к спариванию электронов. Эти силы притяжения имеют сложную квантовую природу, но описываются упрощенной наглядной схемой. При прохождении в решетке металла электроны взаимодействуют с ионами металлов. Электрон, проходящий мимо иона металла, вызывает его возмущение и ион на некотором очень незначительном участке пути движется за электроном, вызывая деформацию кристаллической решетки, которая удерживает ион. В сферу действия этих возмущений попадает второй электрон, движущийся за первым, который ощущает на своем пути события, произошедшие перед этим, что создает косвенную связь между первым и вторым электроном. Чем легче ионы атомов, которые образуют кристаллическую решетку, тем при более высоких температурах появится сверхпроводимость, так как возмущающее действие электронов на ионы легких атомов будет проявляться легче и быстрее наступит образование пар электронов. [10]
Страницы: 1