Cтраница 3
В § 75.9 на основе квантовых представлений будет выяснена причина зависимости проводимости тела от степени совершенства его кристаллической решетки. Оказывается, что наличие в решетке примесей и дефектов, а также особенности тепловых колебаний частиц твердого тела приводят к уменьшению длины свободного пробега электрона и тем самым - к уменьшению проводимости. [31]
В § 75.9 на основе квантовых представлений будет выяснена причина зависимости электропроводности тела от степени совершенства его кристаллической решетки. [32]
Горячекатаное и отожженное состояние отличаются прежде всего структурой, в чем, по-видимому, и заключается причина зависимости сверхпластичности от предварительной обработки сплава. [33]
Григорьева с сотрудниками, при переходе от электрофильных к нуклеофильным заместителям в молекулах анилиновых производных природа связи ПАВ1 с металлом должна изменяться, что является одной из причин V-образной зависимости z ( v) от о-констант Гаммета. [34]
В направлении ( б) следовало бы полнее использовать данные об интенсивности дифракции от упорядоченного материала ( при этом не обязательно приписывать отдельным рефлексам индексы Миллера) и обширные данные по дифракции электронов, если удастся понять причину зависимости от степени ориентации образца. При исследовании степени упорядоченности может быть полезна картина рассеяния от полностью аморфных образцов. Хотя некоторые простые типы разупорядоченности были отброшены [99], было бы полезно попытаться методом наименьших квадратов установить вклад отдельных типов неупорядоченных структур при их одновременном присутствии. [35]
Если для каждого нового опыта не используется новое исследуемое устройство, то следует контролировать взаимную независимость реализаций. Причиной зависимости результата данного опыта от результата предыдущего являются физические изменения объекта исследования, обусловленные взаимосвязью между собственно испытуемым устройством ( изолирующим материалом, электродами), видом напряжения, вкладом энергии при предшествовавших частичных разрядах или пробоях, а также выбранной длительностью паузы между опытами. [36]
Существенное отличие полученных результатов от известных свидетельствует также о значительном влиянии даже небольших погрешностей, связанных с аппроксимацией кривой аДе), на точность определения екр и еш. По этой причине зависимости ( 2.32 - 2.35), так же, как и ( 2.27 - 2.30), следует рассматривать как приближенные. [37]
![]() |
Зависимость адгезионной прочности в системе подложка - покрытие ( ПВА от ( 1 и после отжига ( 2 от быстрой деформации адгезионного соединения. [38] |
Если верно предположение о том, что одна из причин деформационной зависимости адгезионной прочности в изучаемых системах - деформационная зависимость прочности пленок, то следовало ожидать симбатного влияния ударной деформации на адгезионную прочность и на механические свойства пленок. [39]
Имеются попытки объяснить зависимость адгезионной прочности от толщины слоя адгезива влиянием твердой поверхности [23, 66], в результате которого возможность деформации тонкого слоя адгезива меньше, чем толстого. III влияние твердой поверхности на структуру и свойства слоя полимера также может иногда быть причиной зависимости адгезионной прочности от толщины слоя адгезива. [41]
Следует подчеркнуть, что при обсуждении причин влияния анионов фонового электролита на кинетику рассматриваемых электрохимических реакций высокозарядных комплексных катионов необходимо учитывать закономерности образования поверхностных внешнесферных ассоциатов вида Со ( en) X - c, где X - c - адсорбированный на поверхности металла лиганд. Поскольку при прочих равных условиях степень переноса заряда от специфически адсорбированных анионов к платине возрастает при переходе от более жесткого СГ к Вг - и от SOf - к S2O -, то в указанной последовательности должна уменьшаться концентрация электростатически притянутых адсорбированными анионами катионов Со ( еп) з и Со ( еп) §, что и может быть одной из причин зависимости ks от природы анионов фонового электролита. [42]
Влияние защемления водяной фазы у забоя скважин на изменение их продуктивности особенно значительно при низких пластовых давлениях. Этим фактором, по всей видимости, объясняется снижение продуктивности скважин после проведения ремонтных работ на поздних стадиях эксплуатации газовых и газоконденсатных месторождений. Причины зависимости размеров и состояния зоны поражения от пластового давления объясняются достаточно просто. Защемленная фаза удерживается в пористой среде капиллярными силами, и для ее извлечения необходимо создать определенный градиент гидродинамического давления для преодоления градиента капиллярного давления. [43]
Для осуществления этой реакции смесь CmFs и NH4F HF выдерживают при 12S С в токе гелия. После завершения реакции избыток NH4F HF отгоняют при 700 С. Причина зависимости цвета CmF3 от способа получения пока не выяснена. [44]
В стеклянной трубке, продолжением которой является шарообразная стеклянная мембрана, находится рабочий электрод, например серебряная проволока, опущенная в насыщенный водный раствор AgCl, заполняющий электрод. В анализируемом растворе стеклянный электрод приобретает потенциал, значение которого, пропорциональное активности Н30, можно измерить относительно постоянного потенциала электрода сравнения. Причиной зависимости потенциала электрода от рН является то, что внешняя и внутренняя поверхности стеклянной мембраны имеют различный заряд, в результате чего возникает разность потенциалов, пропорциональная концентрации Н в обоих растворах. [45]