Причина - появление - напряжение
Cтраница 1
Причины появления напряжений имеют весьма сложную природу. [1]
Причиной появления напряжения Un является образование дополнительного поверхностного заряда в пленке плотностью дп. Этот заряд обусловлен остаточным зарядом частиц или капель. [2]
Одной из причин появления напряжений в сплошном теле является неравномерный нагрев. С увеличением температуры элементы тела расширяются. Такое расширение в сплошном теле обычно не может происходить свободно, и вследствие нагрева возникают напряжения. [3]
Неправильная подача влечет за собой изменение диаметра прутка и является одной из причин появления напряжений в шве. Ослабление этих напряжений может привести к появлению сначала тонких поверхностных трещин, а затем к их дальнейшему распространению в шве. [4]
Запрещается при обнаружении на проводах ВЛС напряжения выше 42 В приступать к работе до выяснения причины появления напряжения и снижения его до 42 В. [5]
Не допускается при обнаружении на проводах ВЛС напряжения выше 25 В приступать к работе до выяснения причины появления напряжения и снижения его до 25 В. [6]
Не допускается при обнаружении на проводах ВЛС напряжения выше 25 В приступать к работе до выяснения причины появления напряжения и снижения его до 25 В. [7]
Если при приближении к токоведущей части указатель покажет напряжение, то прикасаться к ней не следует, необходимо установить на место снятые ограждения и выяснить причину появления напряжения. [8]
Причины появления напряжения не были установлены. [9]
 |
Изменение лрофиля скорости по сечению трубопровода. [10] |
При неизотермических режимах перекачки в трубопроводах действует сложный комплекс напряжений. Причиной появления напряжений может быть также неравномерное распределение температур по окружности трубопровода. [11]
При освещении электронно-дырочного перехо-да рбнаруживается фотогальванический эффект. Он проявляется в возникновении ЭДС или тока в результате разделения носителей заряда ( генерируемых в полупроводнике под действием внутреннего фотоэффекта) электрическим полем, обусловленным неоднородностью полупроводника. Возникающая при этом фотоЭДС является причиной появления напряжения на фотодиодах и фототранзисторах. [12]
Страницы: 1