Причина - процесс
Cтраница 1
 |
Масс-спектр ти / адкс-декалона-2. [1] |
Причина подобного сложного перегруппировоч-ного процесса не ясна. [2]
Причиной процессов поверхностной ионизации является эмиссия ( испускание) электронов твердыми или жидкими телами под действием квантов радиации, падающих на тело ( поверхностный или внешний фотоэффект), под действием высокой температуры ( термоэлектронная эмиссия), сильного поля у поверхности тела ( автоэлектронная эмиссия), ударов о поверхность тела ионов и электронов ( вторичная эмиссия), возбужденных и, наконец, нейтральных атомов. Процессы электронной эмиссии имеют и самостоятельное значение помимо явлений газового разряда, так как некоторые из них происходят и на границе между твердым телом и высоким вакуумом и обусловливают собой прохождение электрического тока через вакуум. [3]
 |
Изменение во времени содержания калия и натрия в глинистых породах Русской платформы ( по Виноградову и др. [4] |
Внутренними движущими причинами процесса осадконакопления являются борьба и взаимопроникновение противоположных на чал геологического и космического характера. [5]
Следует подчеркнуть, что движущие причины процессов фрагментации не могут сводиться только к проявлению физических свойств частичных дисклинаций как линейных сингулярностей ротационного типа. Факт их присутствия ( фото 9) не вызывает сомнений, однако действительная роль дисклинаций может быть и ограниченной. Доминирующим структурным элементом в полностью фрагментировапном материале являются, конечно, не дисклинаций, а сами фрагменты и их границы. Оборванные или полностью самосогласованные на стыках границы при таком подходе играют лишь вспомогательную роль. [6]
 |
Схема изостати-ческого равновесия. [7] |
Согласно этой гипотезе, причиной геотектонических процессов являются перемещения пластичных подкоровых масс, обусловливающие в одних участках коры крупные поднятия - геотуморы, а в других - глубокие I. Складкообразование, по Хаарману, представляет собой вторичных тектонических процессов и возникает при покрова осадочных пород с поднятий в депрессии. [8]
В ненасыщенном газе массовое воздействие является одной из причин процесса, в то время как в пересыщенном газе оно всегда является, следствием процесса. [9]
В ненасыщенном газе массовое воздействие является одной из причин процесса, в то время как в пересыщенном газе оно всегда является следствием процесса. [10]
 |
Зависимость скорости роста кристаллов бромистого серебра от - для разных времен созревания. [11] |
Этим самым мы получаем ответ на вопрос о причине процесса укрупнения. Если процесс укрупнения с начала до конца является физическим созреванием, то единственной его причиной является различие растворимости кристаллов разных размеров. Как нами было указано 25, экспериментальные данные по скорости роста кристаллов определенных размеров могут быть использованы для проверки приложимости уравнения растворимости к случаю кристаллов бромистого серебра разных размеров. [12]
Представление о беспорядочном движении газовых молекул позволяет без труда понять причину процесса диффузии. [13]
Если взаимодействие отсутствует, а в системе происходят изменения, то что является причиной процесса, идущего в системе. [14]
Задержавшиеся в организме микробы, такие, как долги, подверженность влиянию рекламы, одержимость собственностью, могут стать причиной возвратных процессов как у отдельных индивидуумов, так и в сообществах людей и даже в целых экономических системах. Ежегодные осмотры помогают не давать этим микробам себя проявить, а затем и вовсе их уничтожить. [15]
Страницы: 1 2 3 4