Cтраница 1
Причина возникновения этой реакции объясняется: а) недостаточным снижением температуры после восстановления катализатора, б) слишком быстрым повышением температуры до температуры реакции синтеза и в) высоким соотношением Н2 и СО в исходном газе. [1]
Причины возникновения Д.о., впервые отмеченных: в начале 80 - х годов нашего века, пока не совсем ясны. Предполагается, как естественное, так и антропогенное их происхождение. Большинство ученых считают, что основной причиной возникновения Д.о. являются выбросы фреонов и др. хлорсодер-жащих летучих веществ, разрушающих озоносферу планеты. В специфических условиях высоких широт этот процесс наиболее заметен, поскольку ион хлора здесь не блокирован метановой группой. Существуют и иные гипотезы, объясняющие возникновение Д.о. Некоторые ученые полагают, что это нормальное явление неантропогенного происхождения, имевшее место и ранее, но не бывшее зарегистрированным из-за отсутствия наблюдений. [2]
Причина возникновения не известна. [3]
![]() |
Зависимость продольной термоЭДС от кристаллографической ориентации. Полярный угол ф от-считывается от кристаллографической оси х, которой соответствует термоЭДС ахп, Tl - T2 - const. [4] |
Причина возникновения термоЭДС состоит в том, что средняя энергия носителей заряда ( а в полупроводниках часто и их концентрация) с ростом температуры увеличивается. Вследствие этого градиент температуры вызывает диффузионный поток носителей, который в изотропной среде направлен вдоль вектора уТ, а в анизотропном кристалле - и под углом к этому вектору. В разомкнутой цепи в стационарном состоянии ( если отсутствуют условия для возникновения вихревых термоэлектрических токов) плотность тока в любой точке среды равна нулю. Это происходит потому, что перераспределение носителей заряда в среде приводит к появлению электрического поля, которое компенсирует поток носителей, пропорциональный уТ; при этом в цепи возникает термоэлектродвижущая сила. [5]
Причины возникновения: мало фокусное расстояние; велико расстояние от дефекта до пленки; смещение просвечиваемой детали или аппарата для просвечивания; плохой контакт пленки с экраном; велико рассеянное излучение. [6]
Причины возникновения: плохое растворение компонентов проявителя; для проявителя или промывки применена слишком жесткая вода; плохая промывка пленки. [7]
Причины возникновения: механические повреждения эмпульсионного слоя перед просвечиванием; плохое перемешивание проявителя ( пузырьки воздуха); следы отпечатков пальцев; попадание капель фиксажа на сухую пленку; запыление пленки или экрана; плохая промывка пленки после проявления. [8]
Причины возникновения и, следовательно, способы устранения помпажа и разрыва характеристики различны, несмотря на одинаковое внешнее их проявление в виде неустойчивой работы системы. При наличии автоматического регулирования системы отвода взрывоопасных газов как помпаж, так и разрыв характеристики, сопровождающиеся неустойчивым режимом движения газа в сети, недопустимы и должны быть исключены из рабочей зоны производительности дымососа. [9]
Причина возникновения этой проблемы в том, что - А переводится в А есть ложь, и связка правила - понимается как материальная импликация. Напротив, семантика расширенных логических программ склонна интерпретировать - А как А доказуемо ложно в смысле обоснованности ( grounded sense) и - - как отношение выводимости. [10]
Причины возникновения и последовательность развития подобных аварий могут быть различными, однако общим является то, что они проходят стадию, на которой образуется взрывоопасная смесь с воздухом, взрывающаяся под воздействием какого-нибудь импульса. [11]
Причины возникновения и последовательность развития подобных аварий могут быть различными, однако общим является то, что они проходят стадию, а которой образуется взрывоопасная смесь с воздухом, взрывающаяся под воздействием какого-нибудь импульса. [12]
Причины возникновения этого поля не играют никакой роли. [13]
Причина возникновения этой силы совершенно ясна. [14]
Причины возникновения различных высших или низших гармонических в зазоре были рассмотрены в § 5 гл. [15]