Cтраница 1
Причина генерации и возникновения статических зарядов кроется в процессах, происходящих на границе раздела двух материалов. [1]
Причиной преимущественной генерации дислокаций в области периферии слитков и вблизи двойниковых ламелей является, по-видимому, неоднородная высокотемпературная пластическая деформация в процессе роста и охлаждения кристалла от температуры кристаллизации. Прямолинейность и небольшая протяженность большинства наблюдаемых дислокаций свидетельствуют о том, что они возникли в результате кратковременных воздействии на кристаллы GaSb. Их дальнейшее движение прекращается, вероятно, вскоре после генерирования. [2]
![]() |
Схема емкостных наводок от сети. Сп, / п, . / п - паразитные емкости, токи и напряжения. [3] |
При постоянстве амплитуды причиной генерации является недостаточная емкость конденсаторов фильтра. [4]
![]() |
Виды вентильных фотоэлементов. [5] |
Первоначально предполагалось, что причиной генерации электрической энергии в фотоэлементах с запирающим слоем являются фотохимические реакции. [6]
Под этим термином понимается сложная совокупность процессов, служащих причиной периодической генерации магнитных полей светила. Они включают в себя конвективные и турбулентные гидродинамические движения солнечной плазмы на его поверхности и во внутренних слоях. Движущиеся заряженные частицы ( токи) создают магнитное поле, преобразуя в него часть своей кинетической энергии. В свою очередь возникшее магнитное поле влияет на движение электронов и ионов и тем самым создаются предпосылки для появления в системе периодического процесса. [7]
![]() |
Схема эмиттерного повторителя. [8] |
Эти связи приводят к появлению дополнительных искажений и могут явиться причиной генерации ( самовозбуждения) усилителя. Причинами паразитных связей может быть связь анодных и сеточных цепей через междуэлектродную емкость сетка - анод лампы ( Ca - ci), через общие источники анодного питания, магнитные и электрические поля. [9]
Плохие заземления внешних оболочек высокочастотных кабелей, несущих видеосигналы, являются также причиной генерации усилителей. [10]
![]() |
Схема транзитронного генератора. я схема. б к пояснению принципа. [11] |
Из приведенного выражения видно, что промежуток экранная сетка-катод имеет отрицательное сопротивление, которое и свидетельствует о причине генерации незатухающих колебаний транзи-тронным генератором. [12]
В § 3.1 было показано, что внутренняя обратная связь в транзисторах вызывает неустойчивую работу каскада и при известных условиях может даже явиться причиной генерации усилителя. Это объясняется тем, что модуль и фазовый угол проводимости У12 изменяются в рабочем диапазоне частот усилителя по довольно сложному закону и в достаточно широких пределах. [13]
Оба вида генерации возникают из-за паразитной обратной связи между выходной и входной цепями УНЧ. Причиной генерации в нервом случае является чаще всего уменьшение емкости выходного конденсатора фильтра выпрямители, во втором случае - неисправность конденсатора, шунтирующего первичную обмотку выходного трансформатора, нарушение экранировки провода к управляющей сетке лампы предварительного усилителя НЧ или близкое расположение проводов, идущих к входу акустической системы. [14]
Для получения униполярной ионизации необходимо к электроэффлювиаторам подвести напряжение строго одного знака. Однако вследствие того, что конденсатор заряжается до напряжения несколько меньшего От, потенциал точки g относительно земли имеет в части периода положительный знак, что могло бы явиться причиной генерации наряду с отрицательными некоторого количества положительных ионов. [15]