Вальдес

Cтраница 1

Вальдес ( Valdes), Габриель де ла Консепсьон ] ( 1809 - 44), кубинский поэт. [1]

Схема опыта по обнаружению области с дырочной проводимостью вблизи острия на л-гер-мании. [2]

Перемещая зонд Z но поверхности кристалла после формовки, Вальдес нашел, что около А образуется р-область, причем после сильной формовки поперечные размеры р-области были около 2 Ю 2 см и глубина, определенная тем же способом, при постепенном сошлифовывании верхнего слоя кристалла лежала в пределах 0 8 - Ь 1 7 10 - 2 см. Размеры / 7-области уменьшаются с уменьшением тока формовки. [3]

Детально исследовал состояние нац. Вальдес Канхе - автор работы Письма Его Превосходительству сеньору дон Педро Монту о моральном кризисе и Чили в связи с экономической проблемой конверсии металлических денег ( Cartas al Excelentisirno Se-nor clou Pedro Moritt sobre la crisis moral de Chile ем SMS rciacioiies con el problema economico de la conversion metalica, 1909), в к-рой анализировалось обесценение бум. [4]

Как следует из всего сказанного выше, теория поверхностного барьера также удовлетворительно объясняет свойства точечного контакта. Толщину - слоя оценивают немногими микронами. Вальдес нашел, однако, что размеры р-области вблизи острия значительно больше. Возможно, поэтому в настоящее время более распространено мнение, что в диодах и триодах с точечными контактами выпрямление происходит не на поверхностных барьерах, а на р - л-персходе, образовавшемся в процессе формовки. [5]

Структура германия вблизи острия, при которой коэффициент ае может быть больше трех. [6]

Несомненно, что обработка кристалла приводит его поверхность в такое состояние, что острие эмиттера эмиттирует дырки. Так как коллекторный контакт всегда проходит электрическую формовку, то весьма вероятно, что вблизи него, как а опытах Вальдеса, образуется небольшая / 7-область. Точечный триод на основе n - Ge является, таким образом, своего рода р-п - / ьтрио-дом. [7]

Использование токсичного материала или материала, химически тесно связанного с токсичным материалом, в качестве исходного сырья или промежуточного компонента промышленного процесса обычно требует того, чтобы он транспортировался на производственное предприятие и хранился там до момента использования. Хранение токсичного материала или его предшественников было основной причиной самой серьезной химической аварии в истории: гибели 2000 людей в результате разлива метил-изоцианата из резервуара для хранения в Бхопале, Индия, в декабре 1984 г. Альтернативный подход к проектированию - производство необходимого химического вещества из нетоксичных предшественников, как это необходимо. Например, производство арсина, токсичного газа, широко используемого в производстве материалов в элекронике, по требованию было продемонстрировано Джорджем Вальдесом и его сотрудниками в AT & T Laboratories. [8]

Ар становится более сложным. Этот метод широко используется для определения времени жизни в кремнии и германии. Например, Артур, Бэрдсли, Гибсон и Хогарт [46] показали, что во избежание больших погрешностей при измерении величины времени жизни нужно применять ряд специальных мер. В случае кремния отступления от линейной характеристики коллектора могут быть весьма значительными, но эту трудность можно преодолеть, освещая коллектор стационарной подсветкой и модулируя свет, используемый для инжекции. Попадание рассеянного модулированного света в примыкающую к точечному коллектору область кристалла также может привести к серьезным ошибкам, но если приняты необходимые меры, то можно получить надежные данные. Метод, обеспечивающий получение пренебрежимо малых s, описал Хогарт [47], который успешно использовал этот метод для определения Ьрн Ln кремния. Некоторые детали метода определения времени жизни описал Вальдес [48], рассмотревший также различные меры предосторожности, которые следует принять, чтобы полученные результаты измерений времени жизни были надежными. [9]

Страницы: 1