Основная причина - ухудшение
Cтраница 1
 |
Изопланарный транзистор с эпитакси-альной базой. [1] |
Основные причины ухудшения этих параметров обусловливаются значительным увеличением сопротивления в цепи вывода коллектора из-за необходимости размещения контактной площадки с верхней стороны кремниевой пластины и из-за наличия дополнительной паразитной емкости, образованной изолирующим р-п переходом коллектор - подложка. [2]
Основная причина ухудшения органолептических свойств воды поверхностных водоисточников - ее органический состав, формирующийся при участии почвенного и торфяного гумуса, планктона, высшей водной растительности, продуктов жизнедеятельности и распада растительных и животных организмов водных бассейнов, а также органических веществ, вносимых в воду в связи с развитием промышленности и сельского хозяйства. [3]
Основной причиной ухудшения вакуума является загрязнение поверхности охлаждения отложениями неорганических солей и органических веществ, растворенных в воде, а также ее механических примесей. [4]
Основной причиной ухудшения качества зерна является неравномерный нагрев зерна из-за различной скорости продвижения и, следовательно, разного времени пребывания отдельных зерен в сушилке. Разница в температуре нагрева отдельных зерен достигает 20 С. [5]
 |
Расположение поглотителей в прнемно-усилительных. [6] |
Основными причинами ухудшения изоляции подогревателя от катода являются, во-первых, загрязнения алуида, покрывающего подогреватель, и, во-вторых, пористость и растрескивание самого алун-дового покрытия. Так как подогреватели работают при достаточно-высокой температуре, то может возникнуть ток термоэлектронной эмиссии, который при наличии трещин в алундовом слое будет протекать в цепи катод - подогреватель. Возможной причиной увеличения проводимости алундового слоя является диффузия вольфрама из керна подогревателя в слой алунда, что в свою очередь может привести к пробою алундовой изоляции и выходу лампы из строя. В некоторых типах ламп, предназначенных для работы в высоковольтных схемах с большим напряжением между катодом и подогревателем, подогреватели не алунднруются, а помещаются во внутренние каналы керамической трубки, вставляемой в свою очередь в трубку катода. Такие лампы могут работать при напряжении катод - подогреватель порядка нескольких тысяч вольт. [7]
Основной причиной ухудшения свойств полиэтилена в атмосферных условиях является фотохимическое окисление, тогда как термическое окисление играет второстепенную роль. На деструкцию полиэтилена наиболее активное действие оказывают ультрафиолетовые лучи с длиной волны 2500 - 3300 А. [8]
Основной причиной ухудшения эксплуатационных свойств топлив при хранении являются окислительные процессы. Накопление гидропероксида в гидрогенизационных топливах, не содержащих антиокислительных присадок, делает их чрезвычайно агрессивными по отношению к нитрильным резинам и полисульфидным герметикам топливных систем. При хранении топлив с антиокислительными присадками последние расходуются по реакциям с пероксидными радикалами, что ухудшает совместимость топлив с уплотнительными материалами. В качестве примера в табл. 7.11 представлены результаты испытаний топлив Т-6 и РТ после хранения при 60 С в течение 50 сут на совместимость с резиной и герметикой по методам, описанным на с. Топлива без антиокислительной присадки настолько окислились при хранении, что резина после испытания в них сломалась. [9]
 |
Принципиальная схема масляной системы турбины. [10] |
Основными причинами ухудшения качества турбинного масла являются обводнение-механическое загрязнение и окисление. [11]
Основными Причинами ухудшения качества турбинного масла являются обводнение, механическое загрязнение и окисление. [12]
Основной причиной ухудшения производственной характеристики аппаратов является появление и затем нарастание осадков на их рабочих поверхностях. Примерами могут служить: ухудшение коэффициента теплопередачи вследствие осаждения выделяющихся из воды солей на поверхности труб оросительных холодильников, повышение гидравлического сопротивления на-садочных скрубберов из-за забивания насадки и др. Однако не последнюю роль в ухудшении работы аппаратов играет и износ. [13]
Основной причиной ухудшения свойств плоскостных транзисторов является влияние излучения на объемные рекомбинационные процессы - При инжекции неосновных носителей через область базы особенно важно, чтобы они не рекомбинировали прежде, чем пройдут эту область. Поэтому транзисторы с очень узкой областью базы могут выдержать большее облучение, чем транзисторы с широкой областью базы. Величина изменения времени жизни зависит от числа созданных дефектов и от сечения рекомбинации дефектов. Экспериментальные наблюдения наводят на мысль, что сечение рекомбинации дефектов в кремнии, облученном быстрыми нейтронами, значительно больше, чем в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии. [14]
 |
Схема вырезки образца из изложницы. [15] |
Страницы: 1 2 3 4