Физическая причина

Cтраница 4

Физическая причина такой возможности состоит в том, что при Z ПО - 114, 126 и N 184 возможно появление заполненных ядерных оболочек ( см. гл. Возникающий за счет этого выигрыш в энергии может привести к большим временам жизни ядер 114298, 126304 и их соседей. Теоретические расчеты показывают, например, что период полураспада ядра П4298 достигает 105 лет. Поиски новой области стабильности - острова стабильности - атомных ядер ведутся в нескольких лабораториях мира. [46]

Физические причины роста f при увеличении давления в указанных условиях детально не раскрыты. [47]

Физические причины растекания заключаются в том, что силы молекулярного притяжения между верхней и нижней жидкостями больше, чем силы молекулярного притяжения в верхней жидкости; аналогичным образом объясняется растекание некоторых жидкостей на твердых телах. [48]

Физическая причина различия этих двух типов деформации кристаллических твердых тел связана с тем, что при упругой деформации кристалла атомы мало смещаются из равновесных положений и не меняют своих ближайших соседей, а при пластической деформации относительное смещение атомов превышает межатомное расстояние и приводит к локальному сдвигу одной части кристалла относительно другой. [49]

Физическая причина зависимости т ( А7) состоит в следующем. В электронном полупроводнике по мере роста концентрации доноров электроны занимают все большую долю ловушечных уровней. При этом облегчаются захват дырок и их рекомбинация с электронами - последовательность, показанная на рис. 1 - 23 справа. В дырочном полупроводнике рост концентрации акцепторов сопровождается уменьшением доли занятых ловушек. Соответственно облегчаются захват и рекомбинация электронов ( последовательность, показанная на рис. 1 - 23 слева) и уменьшается время жизни. [50]

Физическая причина зависимости т ( Т) состоит в следующем. В электронном полупроводнике с ростом температуры фононы все больше деионизируют ловушки, срывая с них электроны. В дырочном полупроводнике с ростом температуры фононы способствуют заполнению ловушек, переводя на них электроны из валентной зоны. Тем самым затрудняется рекомбинация свободных электронов и время жизни увеличивается. [51]

Физические причины растекания заключаются в том, что силы молекулярного притяжения между верхней и нижней жидкостями больше, чем силы молекулярного притяжения в верхней жидкости; аналогично объясняется растекание некоторых жидкостей на твердых телах. [52]

Физические причины расширения были рассмотрены в гл. При постоянной амплитуде модуляции расширение линии ведет к уменьшению отношения Н / дН, вследствие чего интенсивность регистрируемого сигнала падает. [53]

Оптическое проявление диэлектрической неустойчивости в ХЖК ( сетка с размерами 80x80 мкм... & j. [54]

Физическая причина появления такой, чисто диэлектрической неустойчивости понятна. Диэлектрический момент стремится переориентировать молекулы в положение, соответствующее текстуре отпечатков пальцев. [55]

Страницы: 1 2 3 4