Cтраница 3
Наличие запертых частиц приводит к появлению возможности развития неустойчивости желобкового типа на захваченных частицах. В самом деле, запертые частицы, находящиеся в некоторой силовой трубке между магнитными пробками, совершенно изолированы от других областей в плазме, и, следовательно, они вполне аналогичны захваченным частицам в обычном пробкотроне. Так как они совершают, вообще говоря, неблагоприятный магнитный дрейф в убывающем к периферии магнитном поле, то, как и в обычной магнитной ловушке на малом возмущении желобкового типа, должно происходить такое разделение зарядов, при котором начальное возмущение нарастает. Все отличие от открытого пробкотрона состоит в том, что в тороидальной геометрии желобки захваченных частиц погружены в плазму пролетных частиц, которая благодаря своей большой продольной диэлектрической проницаемости е 1 8тгпе2 / ( Т м) 1 в значительной мере компенсирует заряды запертых частиц. Но так как е Ф оо, то полной компенсации не происходит, и, следовательно, в плазме должна развиваться сильно замедленная желобковая неустойчивость на запертых частицах. [31]
Амбиполярная ловушка [22], состоящая из центрального пробко-трона и двух боковых пробкотронов. В эти крайние пробкотроны непрерывно вводятся ионы с энергией порядка 1 МэВ и плотностью, на порядок превышающей плотность плазмы в центральном пробкотроне; в центральную часть ловушки вводятся ионы с энергией в несколько десятков килоэлектронвольт. В плазме образуется амбиполярное электрическое поле, поддерживающее равенство плотностей ионов и электронов, и в центре ловушки создается потенциальная яма для ионов. При температуре ионов в центральном пробкотроне, значительно меньшей, чем высота потенциаль-ных барьеров в пробках, время жизни этих ионов становится больше времени их удержания магнитными пробками. [32]
Неустойчивости, развивающиеся в плазме при протекании тока, приводят к тому, что энергия внешнего источника через упорядоченное движение электронов в плазме перекачивается в плазменные волны того или иного типа. Поэтому, возбуждая неустойчивость в плазме, можно нагревать электроны и ионы. Если, например, приложить к плазме высокое напряжение вдоль силовых линий магнитного поля, то электроны, ускоряясь в поле, достигают порога ионно-звуковой неустойчивости, и в плазме накапливаются ионно-звуковые шумы. Эти шумы, в свою очередь, взаимодействуя с эчект-ронами, создающими ток, должны приводить к их рассеянию, что экспериментально можно зафиксировать, измеряя сопротивление плазмы при протекании тока. Наличие активного сопротивления в бесстолкновительной плазме в этом случае свидетельствовало бы о том, что электроны рассеиваются на шумах в плазме. Опыты проводились в импульсном режиме в системе типа пробкотрон, через торцы которого на плазму разряжался конденсатор. [33]