Последовательное заполнение

Cтраница 1

Зависимость энергии 4 / - и Scf-электронов от заряда ядра Z. [1]

Последовательное заполнение электронами электронных подоболочек показывает, что элементы одних и тех же подгрупп ПС имеют близкие электронные конфигурации внешних электронных подоболочек. [2]

Последовательное заполнение р -, d - и / - подоболочек приводит к появлению элементов на рубеже II и III групп. [3]

Последовательное заполнение 4Ьоболочки электронами имеет место только у трижды ионизованных ионов редких земель. [4]

Последовательное заполнение памяти со сжатием после ее переполнения, введение дополнительных оперативных регистров обеспечивает значительный выигрыш во времени, упрощает обработку информации, позволяет гибко использовать объем памяти на любом участке оперативного ЗУ. [5]

Расположение электронов по орбитам. [6]

Последовательное заполнение электронных оболочек в атомах подтверждается и данными об ионизационных потенциалах. Как мы видели, ионизационный потенциал определяется значением наиболее глубокого терма. [7]

Происходит последовательное заполнение отдельных устройств машины командной и числовой информацией. Для того чтобы заранее начать выполнение подготовительных операций, необходимо организовать предварительный просмотр программы на несколько команд вперед по отношению к команде, выполняемой в АУ. Начиная с уровня РК производится предварительная обработка арифметических команд и выполнение команд управления. [8]

Правило последовательного заполнения ( п l) групп было первоначально сформулировано как чисто эмпирическое правило. [9]

Для последовательного заполнения пустот применяют одновременно мелкие и крупные заполнители, но в нек-рых видах В. Кроме того заполнители уменьшают усадку В. Кроме перечисленных составных частей в бетоны иногда вводят пылевидные ( тонко размолотые) добавки, например трепел, доменный шлак, пемзу, кварцевый песок, каменную муку и другие. [10]

При последовательном заполнении электронных слоев возникает вопрос о размещении электронов по орбиталям. Если, например, в атоме орбитали с / 0 ( s - орбитали) заполнены и имеются еще три р-орбитали, то, заполняя электронный слой, на одну из них можно поместить два электрона. Это не будет нарушением принципа Паули, если у электронов спины противоположны. [11]

План составляется последовательным заполнением по одной клетке в таблице перевозок так, что каждый раз либо полностью удовлетворяется потребность одного из потребителей, либо полностью вывозится груз от некоторого поставщика. В теории доказывается, что базисное решение системы ограничений ( из m n уравнений с mn переменными) в условиях транспортной задачи имеет m n - 1 базисных переменных ( ее ранг равен m n - 1), поэтому, совершив m n - 1 указанных шагов, получим первый опорный план. Различие двух методов отыскания первого опорного плана состоит в различии способов выбора последовательности заполнения клеток. [12]

С Z12 идет последовательное заполнение М - оболочки. Ar ( Z 18) оказывается подобным Не и Ne: в его наружной оболочке все s - и р-состояния заполнены. Аг является химически инертным и завершает III период Периодической системы. [13]

С Z12 идет последовательное заполнение УИ-оболочки. Ar ( Z 18) оказывается подобным Не и Ne: в его наружной оболочке все s - и р-состояния заполнены. Аг является химически инертным и завершает III период Периодической системы. [14]

Таким образом, последовательное заполнение электронных оболочек в порядке увеличения суммы п I ( см. рис. 2.12) приводит к слоистому строению атомов. Полностью заполненные внутренние слои образуют электронный остов атома, а внешние электроны, способные принимать участие в образовании химических связей, являются валентными. Число валентных электронов и вид заполненных и вакантных АО валентной оболочки в основном и определяют химические свойства элементов. Периодическая повторяемость числа валентных электронов и вида заполненных и вакантных АО валентной оболочки при монотонном увеличении п приводит к периодическому повторению химических свойств элементов. В соответствии с видом АО валентных электронов - s, р, d или / - также различают s -, p -, d - и / - элементы. [15]

Страницы: 1 2 3 4