Пробой

Cтраница 1

Температурная зависимость скорости сильного акустического возмущения ( а и среднее время релаксации ( б кристалла МББА. [1]

Пробой в жидкости, так же как и взрыв КВВ, сопровождается излучением ударно-акустических волн и образованием пульсирующей каверны. [2]

Обобщенные зависимости для расчета разрядных напряжений воздушных промежутков провод - плоскость и между коаксиальными цилиндрами при нормальных атмосферных условиях. [3]

Пробой наступает в случае появления и развития канала-стримера. Так как появление такого канала зависит от многих случайных причин и возможно при различной степени развития лавинной короны, то именно в третьей области величины разрядных напряжений могут иметь значительные разбросы. Зона таких разбросов, которая часто называется зоной невоспроизводимых результатов, особенно велика при постоянном напряжении и низких частотах. [4]

Пробой происходит в том месте, где наименьшая теплоотдача. [5]

Пробой, сопровождающийся растрескиванием кристалла, характерен для органических кристаллов. [6]

Пробой в толще изоляции высокого напряжения обычно идет не по кратчайшему пути, а зигзагообразно, так как электрическая прочность при разряде вдоль слоев в десятки раз меньше электрической прочности перпендикулярно кристаллам слюды. При пробое изоляции высокого напряжения последовательно пробивается слой за слоем, причем после пробоя каждого слоя происходит перераспределение напряжения между остальными слоями, и в районе дефектного места напряжение повышается. В расслоившейся изоляции между слоями возникают скользящие разряды, длина которых растет с повышением напряжения в пятой степени. [7]

Пробой в шаровом разряднике PI приводит к разряду конденсатора С1 в контуре Ci-Ri-Rz. При этом напряжение иг возрастает, достигает максимального значения, а затем спадает до нуля. [8]

Схема многоступенчатого импульсного генератора. [9]

Пробой в разряднике Р может быть вызван либо уменьшением его межэлектродного расстояния, либо введением в промежуток Р третьего ( поджигающего) электрода, на который посылается импульс напряжения от посторонней схемы. После окончания процесса заряда верхние обкладки конденсаторов С имеют потенциал - И, а нижние обкладки имеют потенциал земли, равный нулю. После пробоя Р точка 2 на некоторое время заземляется, а потенциал точки 3 быстро возрастает до L / i. Если время снижения напряжения на C до нуля больше времени запаздывания разряда в промежутке PZ, то промежуток Р2 пробивается. [10]

Тип стабилизатора. [11]

Пробой не связан с какими-нибудь необратимыми явлениями в веществе полупроводника, он является следствием лавинного размножения числа неосновных носителей тока, при котором обратный ток через переход резко возрастает. Это свойство кремниевых диодов позволяет использовать их для стабилизации постоянных напряжений аналогично использованию, газоразрядных стабилизаторов напряжения. [12]

Пробой, перекрытие и разряды по поверхности устанавливаются по показаниям измерительных приборов и результатам осмотров. Токи утечки нормируются только для изделий из резины. [13]

Пробой отмечается по показаниям вольтметра и амперметра, и изделие считается пробитым, если наблюдается резкое снижение напряжения или возрастание тока. [14]

Пробой всегда может случиться, если фактически действующее напряжение окажется выше того, на которое рассчитана деталь. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5