Пробой - диод
Cтраница 3
В зарядном устройстве возможны следующие основные неисправности: пробой диода, выход из строя балластного резистора, подгорание или отсутствие контактов переключателя. [31]
Напряжение питания F, должно несколько превосходить напряжение пробоя диодов. Напряжение может меняться от 50 до 80 в при хорошей стабильности. [32]
Лч для отрицательной полуволны невелико, то возможность пробоя диода Д обратным напряжением в значительной мере снижается. Мостовая схема выпрямительного устройства, приведенная на рис. 6.1 s, позволяет получить выпрямленный ток, в два раза больший, чем в однополупериодных схемах. Выпрямление измеряемого переменного напряжения происходит в течение обоих полупериодов. Детекторные приборы с мостовыми выпрямителями имеют повышенную чувствительность. Частотный диапазон их находится в пределах от 20 до 20000 гц. Применяются они в основьом для измерения переменных напряжений, шкала их неравномерна лишь в начальной части. [33]
Как правило, в звуковом канале телевизоров наиболее характерными дефектами являются пробои диодов дробного детектора, уменьшение емкости переходных и фильтрующих конденсаторов, изменение настройки контуров, выход из строя радиоламп динамического громкоговорителя и ТВЗ. [34]
Метод измерения основан на том, что вследствие температурной зависимости напряжения пробоя диода его дифференциальное сопротивление на участке лавинного умножения в статическом и в изотермическом режимах сильно различаются. [35]
Допустимое обратное напряжение м0бр доп - Превышение этой величины ведет к пробою диода. [36]
Любой диод имеет определенный предел обратного напряжения, превышение которого приводит к пробою диода и потере им всех его выпрямительных свойств. При температуре 20 С этот предел для диодов Д7Ж не превышает 400 в, а для диодов Д7Д 300 в. [37]
 |
Обмоточные данные генераторов переменного тока. [38] |
В случае обрыва лампочка не горит в любом случае, а при пробое диода лампочка горит в обоих соединениях. [39]
Выпрямление может производиться с помощью одного полупроводникового диода, но, во избежание пробоя диода при больших измеряемых напряжениях, предпочтительно применяются схемы с двумя или четырьмя ( соединенными по схеме моста) диодами. [40]
При разработке схем следует учитывать, что напряжение на резисторе ограничено обратным напряжением пробоя диода, а в высокочастотных схемах сказывается распределенная емкость. [41]
При включении индикатора сопротивление регулятора Rt должно быть наименьшим, чтобы исключить возможность пробоя диода при пиках напряжения. [42]
 |
Вольт-амперная характеристика кремниевого диода на 200 A, SOO В при температуре перехода 20 С ( основная линия и 120 С ( пунктирная линия. [43] |
В процессе последующего увеличения обратного напряжения обратный ток резко возрастает и приводит к пробою диода. Напряжение С / п, при котором наступает пробой перехода, является пробивным. [44]
Источники f / пор и t / проб учитывают пороговое напряжение отсечки и напряжение пробоя диода. [45]
Страницы: 1 2 3 4