Cтраница 2
Под пробоем диэлектрика понимают нарушение его изолирующих свойств при воздействии внешнего электрического поля. Этот дефект изоляции остается и после снятия напряжения. [16]
Во избежание пробоя диэлектрика слишком большой нагрев и повышенные напряжения ( в целях увеличения диэлектрических потерь) не допустимы. [18]
В кн.: Пробой диэлектриков и полупроводников. [19]
В кн.: Пробой диэлектриков и полупроводников. [20]
В кн.: Пробой диэлектриков и полупроводников. [21]
Не следует смешивать пробой диэлектрика с перекрытием его. Если путь тока проходит сквозь изоляционный материал - это пробой диэлектрика. Если же путь тока проходит по поверхности изолятора - это перекрытие. Перекрытие возникает при значительно меньших напряжениях, чем произошел бы пробой по соответствующему пути в воздухе. Напряжение перекрытия значительно уменьшается при повреждении поверхности изолятора, при загрязнении этой поверхности, при образовании на ней влажного покрова, что имеет место при влажном воздухе. [22]
В кн.: Пробой диэлектриков и полупроводников. [23]
Это явление называется пробоем диэлектрика или нарушением его электрической прочности. [24]
Это явление называется пробоем диэлектрика. [25]
Обрыв проводника конденсатора или пробой диэлектрика без замыкания обкладок могут быть выявлены следующим способом: вынимают высоковольтный провод из центральной клеммы на крышке распределителя и устанавливают наконечник провода на расстоянии 3 - 5 мм от массы; включают зажигание и проворачивают коленчатый вал пусковой рукояткой. [26]
Это явление носит название пробоя диэлектрика, или нарушения его электрической прочности. Значение напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика, называется пробивным напряжением, а соответствующее значение напряженности поля - пробивной напряженностью. [27]
Что представляет собой явление пробоя диэлектриков. [28]
Особо следует учитывать возможность пробоя диэлектрика затвора МДП-транзистора, приводящего к выходу из строя транзистора. Предельная напряженность поля в двуокиси кремния, при которой происходит пробой, равна 106 - 107 В / см. По соотношению t / зипред ( Ю6 - 107) и, где ts - толщина диэлектрика ( изолятора), можно оценить максимально возможное напряжение на затворе. Естественно, что рабочее напряжение на затворе МДП-транзистора должно быть ниже предельно допустимого значения, указанного в частных технических условиях на прибор. Последнее же устанавливается с запасом относительно величины, рассчитанной по приведенному соотношению. [29]
Напряжение, при котором происходит пробой диэлектрика, называется пробивным напряжением. Пробивное напряжение изолятора должно быть обязательно больше выдерживаемого, чтобы при перенапряжениях разряд по поверхности фарфора происходил раньше, чем пробой, и тем самым защищал изолятор от разрушения. Наименьшее пробивное напряжение аппаратных изоляторов должно быть больше выдерживаемого напряжения внешней изоляции в сухом состоянии, указанного в табл 5 - 1, не менее чем в 1 2 раза для изоляторов с основной жидкой или бумагомасляной изоляцией, в 1 3 раза для изоляторов с полужидкой и пластичной основной изоляцией ( компаундонаполненные) и в 1 6 раза для изоляторов с основной твердой изоляцией. [30]