Cтраница 2
![]() |
Зависимость пробивного напряжения t / np от времени экспозиции т для тонких пленок алунда ( 70 мкм при Г1800 К. [16] |
На рис. 2.5 приводится зависимость времени электронного пробоя тэл от толщины диэлектрика. Видно, что механизмы электронного пробоя - в тонких слоях и при большой длине разрядного промежутка существенно различаются. В окрестности некоторой критической длины бкр время развития пробоя скачком изменяется на два порядка. При больших и малых д характер зависимости тэл от б отличается. Причина в том, что при малой толщине диэлектрика электронный пробой, как правило, является многолавинным, в то время как при больших б преобладает однолавинныи механизм. [17]