Обратимый пробой

Cтраница 2

Основным физическим процессом, характеризующим принцип работы полупроводниковых ограничителей напряжения, является обратимый пробой р-п перехода диодной структуры. [16]

Максимальные значения перенапряжений t / nepeK, которые диоды выдерживали в условиях обратимого пробоя, выраженные в кратных долях к i / emax представлены на рис. 7.9 а заштрихованной площадкой. [17]

Это напряжение продолжает нарастать по абсолютной величине до тех пор, пока в переходе Я3 не появляется лавинный процесс размножения носителей, который приводит к обратимому пробою ( исчезающему после уменьшения напряжения) этого перехода. [18]

Робрт), что может произойти при обратных разностях потенциалов, как меньших потенциала туннельного пробоя ( или пробоя за счет ударной ионизации), так и больших потенциала обратимого пробоя. [19]

При положительной полуволне переменного напряжения стабилитроны Ст1 проводят ток в прямом направлении от плюса к минусу, как обычные диоды, стабилитроны Ст2 проводят ток от минуса к плюсу, работая в режиме обратимого пробоя. При снижении напряжения между точками 2 - 4 до значения, при котором напряжение на стабилитронах оказывается меньше t / ст, ток / р прекращается. [20]

Анодный ток ключа спадает достаточно быстро, а ток нагрузки частично переходит в демпфирующую цепь Наличие паразитной индуктивности в ЯС-цепи вызывает начальный всплеск анодного напряжения В момент ti также происходит восстановление блокирующей способности управляющего электрода, однако накопленная в индуктивности запирающего канала энергия немедленно переводит р-л-переход в стадию обратимого пробоя. [21]

Вольт-амперная характеристика диодного тиристора.| Триодный тиристор. [22]

В конце участка 2, в точке А, сопротивление обращается в нуль. Происходит обратимый пробой перехода Яг. Напряжение и ток, соответствующие точке включения А, называются напряжением UBKSl и током / вкл включения. ОСт 0 8 - 1 5 В наблюдается в точке обратного переключения при токе выключения / выкл - При этом эмиттерные и коллекторные переходы смещены в прямом направлении и прибор работает в режиме насыщения. [23]

Выделение импульсов с помощью ограничителей по амплитуде ( а и по полярности ( б. [24]

В Этом случае порог срабатывания отличается от нуля при отсутствии специального напряжения смещения. Порог срабатывания ключа определяется напряжением обратного обратимого пробоя стабилитрона. [25]

Схема ( а и передаточная.| Схема ( а и передаточная характеристика ( й параллельного диодного ключа с ненулевым уровнем включения.| Схема ( а и передаточная. [26]

В этом случае порог срабатывания отличается от нуля при отсутствии специального напряжения смещения. Порог срабатывания ключа определяется напряжением обратного обратимого пробоя стабилитрона. [27]

Вольтамперные характеристики диодного ( а и триодного ( б тиристора. [28]

Типовая вольтамперная характеристика диод-тиристора приведена на рис. 7.31, а. Она может быть разбита на следующие основные области: 7 - область малого положительного сопротивления, соответствующая открытому состоянию прибора; II - область высокого отрицательного сопротивления; III - область обратимого пробоя среднего р-п перехода; IV - непроводящее состояние ( средний р-п переход заперт внешним источником напряжения); V - область высокого сопротивления; VI - область лавинного необратимого пробоя. [29]

Схема включения лавинных диодов для защиты от перенапряжений.| Обратные ветви вольт-амперных характеристик тиристоров с. [30]

Страницы: 1 2 3