Лавинный пробой - коллекторный переход
Cтраница 1
Лавинный пробой коллекторного перехода представляет собой обратимый процесс, если ограничить возрастающий при пробое ток. С увеличением тока коллектора при лавинном умножении лавинный пробой может перейти в тепловой пробой с появлением отрицательного дифференциального сопротивления на выходе транзистора. [1]
Лавинный пробой коллекторного перехода представляет собой обратимый процесс, если ограничить возрастающий при пробое ток. С увеличением тока коллектора при лавинном размножении лавинный пробой может перейти в тепловой пробой с появлением отрицательного дифференциального сопротивления на выходе транзистора. [3]
Поэтому в схемах с лавинным пробоем коллекторного перехода с ростом напряжения увеличивается нагрузочная способность. [4]
 |
Входные характеристики транзистора для схемы с О К.| Выходные характеристики транзистора для схемы с ОК. [5] |
Напряжение UK3, при котором начинается лавинный пробой коллекторного перехода в схеме с ОЭ, меньше, чем в схеме с ОБ. [6]
Рассмотрим некоторые особенности работы микромощных транзисторных импульсных схем с лавинным пробоем коллекторного перехода. [7]
Для повышения рабочих напряжений в мощном транзисторе необходимо увеличивать напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода. В эпитаксиально-планар-ных транзисторах, как отмечалось выше ( см. § 4.5), пробой происходит на краях перехода, где переход имеет цилиндрическую область с малым радиусом кривизны. В ме-заэпитаксиально-планарной структуре, показанной на рис. 4.38, а, краевые цилиндрические участки устранены с помощью травления, так что коллекторный переход имеет плоскую форму и характеризуется повышенным напряжением пробоя. Здесь пассивные участки базы / имеют большие толщину и радиус кривизны на краях. Обе структуры позволяют повысить пробивное напряжение до 150 - 200 В, а более сложные структуры высоковольтных транзисторов - до 1000 В. [8]
 |
Выходное характеристики транзистора МП41 для схемы с ОБ. [9] |
При больших значениях [ 7кб ток коллектора заметно увеличивается вследствие начинающегося лавинного пробоя коллекторного перехода. Для уменьшения коллекторного тока до нуля нужно подать некоторое положительное напряжение i / K6, при котором инжектированные из эмиттера в базу носители заряда не смогут пройти через коллектор. Очень небольшой наклон выходных характеристик говорит о том, что сопротивление коллекторного перехода гк велико и составляет обычно сотни килоом. [10]
На рис. 2 а и б приведены примеры схем с лавинным пробоем коллекторного перехода, которые могут найти применение в качестве логических элементов. [11]
Попытки улучшить лавинные характеристики транзисторов с диффузионной базой за счет увеличения напряжения лавинного пробоя коллекторного перехода обычно не приводят к желательным результатам, так как это связано с увеличением удельного сопротивления материала коллектора, что увеличивает роль эффекта оттеснения и последовательного сопротивления коллектора. [12]
Разновидностью биполярных являются лавинные транзисторы, рабочий участок характеристики которых находится в области лавинного пробоя коллекторного перехода. Лавинообразное нарастание коллекторного тока происходит в течение нескольких наносекунд. Лавинные транзисторы предназначены для генерирования мощных импульсов наносекундного диапазона. [13]
Тиристор может включиться и при повышении напряжения цепи нагрузки Va и снятом напряжении управления, когда происходит лавинный пробой коллекторного перехода. Переход в проводящее состояние происходит при напряжении 1 / пер, которое уменьшается с увеличением тока управляющего электрода / у. [14]
 |
Характеристики перехода тиристора в проводящее состояние.| Тиристор типа ВКДУ-150.. а - разрез тиристора. б - расположение слоев монокристалла. [15] |
Страницы: 1 2