Cтраница 1
Полевой пробой наблюдается в очень тонких р-п переходах при напряжениях пробоя, обычно не превышающих 10 В. [1]
Напряжение полевого пробоя с увеличением температуры уменьшается, так как при высокой температуре туннельные переходы становятся возможны при более низких напряжениях вследствие наблюдаемого уменьшения ширины запрещенной зоны при увеличении температуры. [2]
Напряжение полевого пробоя с увеличением температуры уменьшается, так как при высокой температуре туннельные переходы становятся возможны при более низких напряжениях вследствие наблюдаемого уменьшения ширины запрещенной зоны при увеличении тем-пературы. [3]
Напряжение полевого пробоя с увеличением температуры уменьшается, так как при высокой температуре туннельные переходы становятся более вероятными. [4]
Если при лавинном или полевом пробое ограничить величину обратного тока с тем, чтобы исключить перегрев структуры, то в таком режиме переходы диодов могут находиться длительное время или включаться многократно. [5]
Низковольтные опорные диоды, где наблюдается полевой пробой, имеют отрицательный, а высоковольтные диоды, где наблюдается лавинный пробой - положительный ТКН. Знак ТКН при лавинном пробое определяется тем, что скорость ( подвижность) носителей заряда уменьшается с возрастанием температуры. Типовые значения ТКН обычно составляют не более 0 2 - 0 4 % / град. [6]
В узких / 7-и-переходах при относительно небольших обратных напряжениях обычно возникает полевой пробой, в основе которого могут лежать несколько эффектов, основным из которых является туннельный. [7]
Другой разновидностью обратимого электрического пробоя на участке / / может быть полевой пробой. В тонких переходах напряженность электрического поля велика, при этом энергия, необходимая для разрыва связи в крис-таллической решетке, уменьшается, увеличивается генерация неосновных носителей, резко возрастает обратный ток. [8]
Другой разновидностью обратимого электрического пробоя на участке / / может быть полевой пробой. В тонких переходах напряженность электрического поля велика, при этом энергия, необходимая для разрыва связи в кристаллической решетке, уменьшается, увеличивается генерация неосновных носителей, резко возрастает обратный ток. [9]