Тепловой пробой - транзистор
Cтраница 1
 |
Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в режиме лавинного пробоя при различных сопротивлениях в его базе. [1] |
Тепловой пробой транзистора возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры - - перехода. С ростом температуры перехода возрастают токи утечки и полупроводник переходит в проводящее состояние, а / - л-переход исчезает. Такое явление называют переходом кристаллов в состояние собственной проводимости. [2]
Рассмотрен самопрогрев и тепловой пробой транзисторов типа П4 в схеме с потенциометрическим питанием цепи базы. Показано, что на процесс теплового пробоя влияет не только температурная зависимость нулевого коллекторного тока, но и температурная зависимость сопротивления эмиттера. Получены расчетные соотношения, позволяющие вычислить зависимость мощности, рассеиваемой в транзисторе, от температуры. Приведены результаты экспериментальных исследований, подтвердившие правильность исходных предпосылок и достаточную для практических целей точность расчета. [3]
Исследования показывают, что самопрогрев и тепловой пробой транзистора отличаются не только параметрами / коф ( 7) и г8 ( р ( 71), но в первую очередь данными схемы питания. Технические условия допускают на транзистор П4 предельную рассеиваемую в ем мощность без дополнительного теплоотвода 3 вт. [4]
В опубликованных до настоящего времени работах, посвященных тепловому пробою транзисторов, как правило, рассматривается общий перегрев прибора. При этом считается, что тепло выделяется в коллекторном переходе и поверхность этого перехода изотермическая. Фактически при тепловом пробое, по-видимому, почти всегда происходит не общий, а локальный перегрев транзисторной структуры. Это, в частности, связано с тем, что наличие каких-либо неодиородностей в структуре может привести к возникновению электрических полей н температурных градиентов в направлении, параллельном поверхности перехода, и в результате к концентрации токов и уменьшению размеров областей, где происходит выделение тепла. [5]
При работе транзисторов в режиме больших рассеиваемых мощностей наблюдаются частые отказы, основной причиной которых является тепловой пробой транзисторов. Для предотвращения теплового пробоя транзистора в настоящее время разработаны методы, позволяющие рассчитать допустимые мощности, рабочие температуры и имеются практические рекомендации по предупреждению теплового пробоя. [6]
При работе транзисторов в режиме больших рассеиваемых мощностей наблюдаются частые отказы, основной причиной которых является тепловой пробой транзисторов. Для предотвращения теплового пробоя транзистора в настоящее время разработаны методы, позволяющие рассчитать допустимые мощности, рабочие температуры и имеются практические рекомендации по предупреждению теплового пробоя. [7]
Превышение Як-макс ведет к перегреву и тепловому пробою транзистора. [8]
Превышение / VMBKC ведет к перегреву и тепловому пробою транзистора. [9]
Убедившись в том, что в монтаже ошибок нет, к контактам выключателя питания присоедини миллиамперметр и таким образом измерь общий ток, потребляемый приемником от батареи. При замене резистора R15 источник питания обязательно должен быть выключен, иначе может произойти тепловой пробой транзисторов выходного каскада. [10]
Чтобы предотвратить вторичный пробой мощного транзистора инвертора из-за высокой концентрации энергии в объеме полупроводника при коммутационных процессах необходимо формировать режим безопасного переключения транзистора. На рис. 2.21 заштрихованная область диаграммы переключения транзистора соответствует недопустимому сочетанию тока и напряжения на транзисторе, при котором наступает необратимый тепловой пробой транзистора. [11]
 |
Выходные каскады усилителей на транзисторах.| Конструкция радиаторов. [12] |
Большое значение для нормальной работы выходного каскада транзисторного усилителя имеет тепловой режим транзистора. Известно, что при превышении максимально допустимой мощности, рассеиваемой в р - n - переходах, которая существенно зависит от температуры окружающей среды, происходит тепловой пробой транзистора. [13]
Вопрос стабилизации тока покоя оконечных транзисторов является важнейшим вопросом, решение которого позволяет повысить надежность работы усилителя низкой частоты. При повышении температуры окружающей среды пли же при нагреве транзисторов вследствие перегрузки возникает лавинообразный процесс увеличения неуправляемого тока покоя, что приводит к пробою оконечных транзисторов. Для предотвращения теплового пробоя транзисторов необходимо, чтобы напряжение смещения оконечного каскада уменьшалось с увеличением температуры. [14]
От значения мощности, рассеиваемой на регулирующем транзисторе, зависит температура его коллекторного перехода, которая не должна превышать предельно допустимого значения. Для германиевых транзисторов она составляет 85 - 100 С, для кремниевых 150 - 200 С. Превышение температуры перехода свыше предельной вызывает тепловой пробой транзистора. [15]
Страницы: 1 2