Первичный пробой

Cтраница 1

Первичный пробой инициировался как просто в лабораторном воздухе, так и на металлической ( нихромовой) нити, которая либо заземлялась, либо оставалась нейтральной, не связанной электрически с проводниками большой массы. [1]

В отличие от первичного пробоя, ограничение величины тока с помощью внешних сопротивлений далеко не всегда дает эффект при вторичном пробое. Ряд соображений, подтвержденных результатами экспериментов, показал, что явления вторичного пробоя связаны с эффектом сосредоточения тока эмиттера в ограниченных объемах. С этим эффектом будет связана концентрация рассеиваемой мощности и значительные локальные перегревы транзисторной структуры. [2]

Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора ( а и полевого транзистора ( б. [3]

Если транзистор попадает в режим первичного пробоя, то его нормальная работа нарушается, однако при выходе из режима пробоя его работоспособность восстанавливается. Любой вторичный пробой необратим, так как после него происходит деградация транзистора, обусловленная порчей переходов. Основными видами первичных пробоев являются: лавинный, тепловой и токовый. [4]

Кроме ограничений, накладываемых на минимальные размеры областей первичного пробоя, необходимы высокие скорости энерговклада лазерного излучения в плазму. [5]

Построение гиперболы максимальной потребляемой мощности. [6]

Вторичный пробой транзистора возникает или после развития одного из видов первичного пробоя, или непосредственно, минуя развитие первичного пробоя. [7]

Зависимость времен лазерной ионизации в паровых ореолах частиц корунда от эффективного радиуса частиц а. [8]

Суммируя характерные времена процессов, можно оценить время, необходимое для инициирования первичного пробоя на твердых частицах дисперсной среды tu с момента включения ступенчатого лазерного воздействия. [9]

Вторичный пробой транзистора возникает или после развития одного из видов первичного пробоя, или непосредственно, минуя развитие первичного пробоя. [10]

Восстановление электрической прочности искрового промежутка при пробойном напряжении Us можно охарактеризовать временем отсутствия тока / р, которое должно пройти после первичного пробоя, чтобы повторный прямоугольный импульс напряжения с амплитудой Up не привел с вероятностью w к повторному под-жигу. [11]

И последующего устранения причины пробоя работоспособность транзистора восстанавливается. Вторичный пробой развивается спустя некоторое время после развития первичного пробоя. После завершения вторичного пробоя, сопровождающегося пиротехническими эффектами, транзистор можно смело отправлять в мусорное ведро. [12]

К методике измерения нескольких. [13]

В низковольтных аппаратах этот ток может оказаться недостаточным для выполнения указанного условия вследствие малых скоростей восстановления напряжения. Если TOKii ( i C2duJdt) окажется очень малым, во второй стадии будет происходить пробой двух последовательно соединенных промежутков - первичный пробой второго и вторичный пробой первого. Это исказит картину процессов и может не дать возможности определить вторую и третью точки кривой ыв. Эти обстоятельства ограничивают возможности использования данного метода. [14]

Последняя растет с возрастанием плотности мощности лазерного излучения. Время высвечивания спектральных линий нейтральных атомов веществ аэрозолей с относительно низким потенциалом ионизации ( пары металлов) практически совпадает с характерным временем первичного пробоя паров. [15]

Страницы: 1 2