Электрический пробой

Cтраница 3

Измерение диэлектрической постоянной. [31]

Электрический пробой измеряется двумя электродами ( заостренные щупы № 3 Пратта и Вайтнея), введенными в диэлектрик перпендикулярно поверхности. [32]

Электрические пробои связаны с увеличением напряженности электрического поля в запорном слое, а тепловые - с увеличением рассеиваемой мощности и соответственно температуры. [33]

Электрический пробой, вызванный чрезмерным возрастанием напряженности электрического поля в переходе. Обратный ток при электрическом пробое перехода возрастает потому, что электрическое поле большой напряженности вырывает электроны из ковалентных связей, а это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. [34]

Электрический пробой р - - перехода обусловлен лавинным увеличением носителей заряда или туннельным эффектом. [35]

Электрический пробой происходит в результате внутренней электростатической эмиссии и под действием ударной ионизации атомов. Внутренняя электростатическая эмиссия в полупроводниках аналогична электростатической эмиссии электронов из металла. Под действием сильного электрического поля часть электронов освобождается из ковалентных связей и получает энергию, достаточную для преодоления высокого потенциального барьера - - перехода. Двигаясь с большой скоростью, электроны сталкиваются с нейтральными атомами и ионизируют их. В результате ударной ионизации появляются новые свободные электроны и дырки. Они, в свою очередь, разгоняются полем и создают дополнительные носители тока. [36]

Электрический пробой воздушных промежутков между щупом и трубопроводом преобразуется в электрические сигналы, управляющие устройствами звуковой и световой сигнализации, а также используемые для срабатывания блоков регистрации и дефектоотметчика при их подключении к дефектоскопу. [37]

Электрический пробой ( электронный пробой), протекающий за 10 - s - 10 - 5 с, обусловлен ударной ионизацией ускоренными в электрическом поле электронами. [38]

Электрический пробой - это пробой, обусловленный ударной ионизацией или разрывом связей межлу частицами диэлектрика непосредственно под действием электрического поля. [39]

Электрический пробой возникает в результате непосредственного воздействия недопустимо сильного электрического поля на кристаллическую решетку полупроводника в области р-л-перехода. [40]

Электрический пробой обусловлен электронными процессами, происходящими в сильном электрическом поле и приводящими к лавинообразному увеличению концентрации носителей в диэлектрике. [41]

Электрический пробой возникает вследствие ударной ионизации нарастающей лавиной электронов. Пробой наступает почти мгновенно ( за 10 - 7 - 10 - 8 с) под действием поля большой напряженности ( свыше 1000 МВ / м) независимо от нагрева диэлектрика. Обычно диэлектрик пробивается при включении напряжения или при его резком скачке. [42]

Электрический пробой происходит в результате внутренней электростатической эмиссии и под действием ударной ионизации атомов. Внутренняя электростатическая эмиссия в полупроводниках аналогична электростатической эмиссии электронов из металла. Под действием сильного электрического поля часть электронов освобождается из ковалентных связей и получает энергию, достаточную для преодоления высокого потенциального барьера р-и-перехода. Двигаясь с большой скоростью, электроны сталкиваются с нейтральными атомами и ионизируют их. В результате ударной ионизации появляются новые свободные электроны и дырки. Они, в свою очередь, разгоняются полем и создают дополнительные носители тоца. [43]

Электрический пробой имеет место в чистом виде в газообразных диэлектриках. В газе имеется всегда некоторое количество ионов. При увеличении напряжения между электродами, разделенными слоем газа, увеличиваются напряженность электрического поля и силы fEq, действующие на свободные ионы. [44]

Вольт-амперная характеристика р - п-перехода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5