Зинеровский пробой
Cтраница 1
Зинеровский пробой является результатом непосредственного воздействия сильного электрического поля на кристаллическую решетку полупроводника. [1]
Напряжение зинеровского пробоя для данного германиевого - плоскостного диода равно 3 в. Постройте кусочно-линейную эквивалентную схему, которая будет аппроксимировать характеристики диода с р - / г - переходо. Предполагается, что пробой идеально резкий. [2]
 |
Точечный германиевый диод типа Д2. 1 - корпус из изоляц. материала. г - иглодержатель. 3 - игла. 4 - кристалл Ge электронного типа проводимости. 5 - кристаллодержатель. 6 - выводы. [3] |
Uz - напряжение зинеровского пробоя, Q, Qp - удельное сопротивление областей соответственно п и / э-типа проводимости. При большем значении удельного сопротивления пробой обусловлен возникновением лавинного умножения носителей тока, и напряжение пробоя электронного и дырочного ГШ соответственно определяется эмпирич. [4]
 |
Вольтамперные характеристики идеального и реального р-п-переходов. [5] |
При пробивном напряжении ниже 5 в преобладает зинеровский пробой. [6]
 |
Туннельное просачивание электрона через запрещенную зону. [7] |
По имени Зинера, впервые указавшего на возможность туннельного механизма пробоя, этот эффект называется зинеровским пробоем. Опыты показывают, что в германиевых и кремниевых диодах, в которых концентрация носителей в менее легированной области не превышает 3 - Ю17 ел-3, из-за сравнительно большой толщины р - п-перехода вероятность туннельного просачивания оказывается ничтожно малой и зинеровский пробой не наблюдается. [8]
Действительно, оказывается, что для р - - переходов с пробивным напряжением ниже 5в основным механизмом пробоя являет-ется зинеровский пробой. Более подробно туннельное прохождение по Зинеру1) будет рассмотрено в гл. [9]
По имени Зинера, впервые указавшего на возможность туннельного механизма пробоя, этот эффект называется зинеровским пробоем. Опыты показывают, что в германиевых и кремниевых диодах, в которых концентрация носителей в менее легированной области не превышает 3 - Ю17 ел-3, из-за сравнительно большой толщины р - п-перехода вероятность туннельного просачивания оказывается ничтожно малой и зинеровский пробой не наблюдается. [10]
Приводим сведения о нек-рых из них: Наибольшее допустимое напряжение между коллектором ( эмиттером) и базой определяется величиной пробивного напряжения соответствующего перехода, зависит от предъявляемых к транзистору эксплуатац. Исходное значение пробивного напряжения измеряется либо осцил-лографированием обратной ветви вольтампор-н он хар-ки соответствующего перехода либо с помощью стрелочных приборов по фиксированному уровню обратного тока. Наиболее изучены лавинный пробой, зинеровский пробой, прокол и поверхностный пробой. Напряжения лавинного пробоя, определяемые св-вами высо-коомной насти ПП, U AQb, где Q - уд. [11]
В этом случае преобладающим может быть прямое квантовомеханическое туннелирование из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс проходит очень резко и приводит к быстрому увеличению тока. Зто явление известно под названием зинеровского пробоя. [12]
 |
Различные типы обратных участков вольт-амперных характеристик р - n - переходов ( изображены схематично. [13] |
Еще один процесс может возникать в случае относительно сильно-легированного р - га-перехода, в котором область объемного заряда узка и поле, необходимое для создания данного смещения, достаточно высокое. В этом случае преобладающим может быть прямое квантовомеханическое туннелирование из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс проходит очень резко и приводит к быстрому увеличению тока. Это явление известно под названием зинеровского пробоя. [14]
 |
Коллекторные характеристики, показывающие рекомендуемые и нерекомендуемые участки работы транзистора. [15] |
Страницы: 1 2