Cтраница 2
При написании электронных формул следует учитывать так называемый провал электрона. Однако на внешнем уровне у атома хрома не два электрона, а один - второй электрон провалился на d - подуро-вень второго снаружи уровня. To же имеет место у Nb, Mo и других элементов. [16]
Рассмотренный порядок квантования электронов иногда осложняется так называемым провалом электрона, наблюдаемым у некоторых элементов. [17]
Рассмотренный порядок квантоваштп энергии электронов иногда осложняется так называемым провалом электрона, наблюдаемым у некоторых элементов. Атом хрома как бы спешит поскорее заполнить пропущенный rf - подуровень нредвнешнего квантового слоя за счет переброски ( провала) одного s - электрона с четвертого квантового слоя на третий. На общем числе валентных электронов ( у Сг-6) это не отражается, и при выводе электронной формулы провал электрона можно не учитывать, тем более, что у одного из последующих элементов провал всегда возмещается обратным переходом электрона. [18]
Этим вызывается отмеченная выше вторичная периодичность в изменении свойств атомов с изменением зарядов их ядер и факты провала электрона. [19]
Исключение составляют d - и / - элементы с полностью и наполовину заполненными подоболочками, у которых наблюдается так называемый провал электронов, например Си, Ag, Cr, Mo, Pd, Pt. Это явление будет рассмотрено позднее. [20]
Близость энергий подуровней 4 / и 5d, 5 / и 6а приводит к наблюдаемому и у некоторых лантанидов и актинидов явлению провала электрона, не влияющему, впрочем, на проявляемую элементом валентность. [21]
Близость энергий подуровней 5 / и Gd и - меньшая - подуровней 4 / и 5d приводит к наблюдаемому и среди лантанидов и актинидов явлению провала электрона, не влияющему на проявляемую элементом валентность. [22]
ТЬ) - 2 / 8 / 18 / 18 7 2 / 8 / 2, то есть усиленная достройка / - подуровня предпредвнешнего слоя и за счет очередного электрона и за счет провала электрона с d - подуровня предвнешнего слоя. [23]
Заполнение электронных оболочек у последующих 18 элементов ( Rb-Xe) аналогично заполнению электронных оболочек уже рассмотренных 18 элементов четвертого периода ( К-Кг); вслед за Rb ( 5s) и Srtfs2) на протяжении декады ( 4d) - Cd ( 4 / 10) с несколькими провалами электрона комплектуется 4 / - оболочка, затем последовательность заполнения нарушается и электроны поступают в р-оболочку пятого слоя, хотя свободна вся 4 / - оболочка. [24]
С ростом заряда ядра возрастает также и степень экранирования ядра электронами, поэтому нарушение охватывает большое число слоев, кажущийся заряд ядра становится меньше и последующие электроны все больше отталкивают предшествующие. Провалы электронов на более низкие электронные оболочки у Cr, Mb и других элементов ( табл. 7) также энергетически выгодны. [25]
Чем объясняются эффект провала электрона для этих элементов и особая устойчивость степени окисления 1 для серебра. [26]
К d - элементам шестой группы относятся хром, мо: либден вольфрам. У атомов хрома и молибдена вследствие провала электрона распределение электронов иное, чем у вольфрама. [27]
Интересно отметить, что последовательность в заполнении Sd-подуровня несколько нарушается у двух из десяти приведенных атомов: у атома хрома Сг и у атома меди Си. У каждого из этих двух атомов происходит так называемый провал электрона. Один электрон с внешней 4s - оболочки как бы проваливается на предвнешнюю 3d - o6o - лочку. В результате во внешнем слое у атомов с провалом остается один 48-злектрон, а в Sd-оболочке оказывается электронов больше, чем у предыдущего в ряду атома, не на один, как у большинства атомов данного ряда, а на два. [28]
В атомах d - элементов, как правило, на внешнем уровне содержится по два электрона за исключением тех элементов, которые в таблице подчеркнуты одной чертой. В атоме палладия ( Z 46) происходит двойной провал электронов - его символ в таблице подчеркнут двумя чертами. Поэтому у атомов d - элементов - аналогов электронная структура валентных подуровней не всегда тождественна. [29]
В атомах каких элементов, кроме хрома и молибдена, наблюдается провал электронов и чем он вызван. [30]