Cтраница 3
Пользуясь диаграммами состояния растворов ( рис. XVI-2), можно выяснить поведение раствора при его кристаллизации и получить данные для выбора наиболее эффективного способа проведения процесса кристаллизации. На рис. XVI-2 изображены диаграммы состояний для трех бинарных систем. Пунктирная линия 2 - 2 условно делит область пересыщенных растворов на две части. Между линиями / - / и 2 - 2 расположена относительно устойчивая, или метастабильная, область Б 2 - 2 неустойчивая, или лабильна я, область А. [31]
![]() |
Кривые растворимости различных солей. [32] |
Пользуясь диаграммами состояния растворов ( рис. XVI-2), можно выяснить поведение раствора при его кристаллизации и получить данные для выбора наиболее эффективного способа проведения процесса кристаллизации. На рис. XV1 - 2 изображены диаграммы состояний для трех бинарных систем. Пунктирная линия 2 - 2 условно делит область пересыщенных растворов на две части. Между линиями 1 - / и 2 - 2 расположена относительно устойчивая, или метастабильная, область Б и над линией 2 - 2 неустойчивая, или лабильная, область А. [33]
Пользуясь диаграммами состояния растворов ( рис. XVI-2), можно выяснить поведение раствора при его кристаллизации и получить данные для выбора наиболее эффективного способа проведения процесса кристаллизации. На рис. XV1 - 2 изображены диаграммы состояний; для трех бинарных систем. Пунктирная линия 2 - 2 условно делит область пересыщенных растворов на две части. Между линиями / - 1 и 2 - 2 расположена относительно устойчивая, или метастабильная, область Б и над линией 2 - 2 неустойчивая, или лабильная, область А. [34]
![]() |
Изогидрический кристаллизатор периодического действия. [35] |
Применяемые в промышленности кристаллизаторы можно разделить на три группы: изогидрические, вакуумные и выпарные. Для проведения процесса кристаллизации солей, растворимость которых значительно уменьшается с понижением температуры, применяют изогидрические кристаллизаторы. Раствор в них охлаждается при постоянном количестве растворителя до температуры ниже температуры насыщения. В результате охлаждения раствор становится пересыщенным, что приводит к возникновению процесса кристаллизации. [36]
![]() |
Фибриллярные кристаллы изотактического полипропилена с кебабами. [37] |
Бинсберген и Де Ланж [25] показали, что степень разветвленное ламелей зависит от условий охлаждения. При проведении процесса кристаллизации при температуре выше 160 С увеличения ветвления обнаружено не было. [38]
![]() |
Фибриллярные кристаллы изотактического полипропилена с кебабами. [39] |
Бинсберген и Де Ланж [25] показали, что степень разветвленности ламелей зависит от условий охлаждения. При проведении процесса кристаллизации при температуре выше 160 С увеличения ветвления обнаружено не было. [40]
Вообще, процесс кристаллизации протекает значительно легче вокруг уже имеющихся в растворе кристаллов или даже мельчайших кристаллических обломков того же вещества. Поэтому весьма часто при проведении процесса кристаллизации предварительно вводят в раствор то или иное количество кристаллов выделяемого вещества. [41]
Процесс кристаллизации протекает значительно легче вокруг уже имеющихся в растворе кристаллов или даже мельчайших кристаллических обломков того же вещества. Поэтому весьма часто при проведении процесса кристаллизации предварительно вводят в раствор некоторое количество кристаллов выделяемого вещества. [42]
Процесс кристаллизации протекает значительно легче вокруг имеющихся в растворе кристаллов или даже мельчайших кристаллических обломков того же вещества. Поэтому весьма часто при проведении процесса кристаллизации предварительно вводят в раствор некоторое количество кристаллов выделяемого вещества. [43]
Аппаратура для проведения процесса кристаллизации чрезвычайно разнообразна. Однако некоторые конструкции пригодны для проведения процесса кристаллизации при любых способах пересыщения раствора. Выбор их определяется как свойствами обрабатываемых систем, так и масштабами производства. [44]
Опубликованы разнообразные способы получения кристаллов перхлората аммония в виде округлых или сферических кристаллов. Округлые кристаллы получают [98] при проведении процесса кристаллизации с интенсивным перемешиванием образующейся пульпы кристаллов или обработкой пульпы во вращающемся аппарате с насадкой. Для достижения этой же цели предложено проводить процесс кристаллизации, чередуя стадии кристаллизации и растворения кристаллов таким образом, чтобы стадия кристаллизации преобладала. [45]