Cтраница 1
Схема бестигельной зонной плавки кремния.| Зависимости коэффициентов диффузии различных примесей в кремнии от температуры. [1] |
Проводимость кремния, как и германия, сильно зависит от присутствия примесей. [2]
Зона проводимости кремния имеет шесть эквивалентных минимумов, лежащих в направлении типа [100] недалеко от границы зоны Бриллюэна. [3]
Значения энергетических и технологических параметров в кремнии и германии. [4] |
Зона проводимости кремния имеет шесть эквивалентных минимумов, находящихся в точках, расположенных в кристаллографических направлениях [100] и соответствующих значениям волнового числа К, равным 0 8 / Смаке, где / Смаке - значение волнового числа, соответствующее границе зоны Бриллюэна в указанных направлениях. [5]
В зоне проводимости кремния имеется шесть минимумов вдоль оси ( 1, 0, 0) и ей эквивалентных. Вблизи каждого минимума зона не вырождена. [6]
Изоэнергетические поверхности зоны проводимости в Si п-типа. [7] |
Изоэнергетические поверхности зоны проводимости кремния / г-типа не сферичны, какими они бывают иногда в более простых металлических и полупроводниковых кристаллах. В данном случае они образуют конфигурацию из шести эллипсоидов вращения, оси которых расположены вдоль шести эквивалентных направлений ( 1UO) в - пространстве кристалла. [8]
Основные физические свойства кремния представлены в табл. 8.1. Проводимость кремния, как и германия, очень сильно изменяется от присутствия примесей. На рис. 8.14 приведены зависимости удельного сопротивления кремния и германия от концентрации примесей. Благодаря более широкой запрещенной зоне собственное удельное сопротивление кремния на три с лишним порядка превосходит собственное сопротивление германия. [9]
На рис. 7.7 6 приведены экспериментальные кривые зависимости проводимости кремния, содержащего различные количества фосфора, от температуры. Сравнение этих кривых ic кривыми рис. 7.7 а показывает, что в простейших случаях теория качественно правильно передает характер зависимости проводимости полупроводников от температуры. [10]
Морин и Маита [32, 33], измеряя тем же способом проводимость кремния, установили, что цсе у а. Эти данные несколько отличаются, но не очень сильно от тех, которые получены для дрейфовой подвижности. [11]
Точно так же результаты, полученные с помощью циклотронного резонанса для края зоны проводимости кремния, находятся в согласии с опытами Пирсона и Херринга [24] по изменению сопротивления кремния и-типа в магнитном поле. В сущности, именно корреляция с данными по изменению сопротивления в магнитном поле позволила установить принадлежность тех или иных поверхностей энергии электронам или дыркам. [12]
Распределение носителей и зонные диаграммы в МОП транзисторе с индуцированным р-каналом. [13] |
Однако для наиболее распространенной комбинации алюминий - кремний контактная разность потенциалов отрицательна ( независимо от типа проводимости кремния, см. табл. 2 - 1) и, следовательно способствует обогащению приповерхностного слоя электронами. [14]
Положение изоэнер-гетических поверхностей в зоне проводимости германия.| Структура энергетических зон в сером олове. [15] |