Проводимость - полупроводниковый материал
Cтраница 1
Проводимость полупроводниковых материалов в сильной степени зависит от внешних энергетических воздействий ( электрическое поле, нагрев, освещенность, радиация), а также от примесей. И энергетические воздействия, и примеси увеличивают число носителей зарядов, причем каждый атом примесей увеличивает их-обычно на единицу. Поэтому в полупроводниковой технике чистыми материалами называют такие, в которых количество атомов примесей не превышает числа собственных носителей зарядов. Например, не более одного атома примеси должно приходиться на 109 - 1010 атомов германия и на 1012 - 1013 атомов кремния, чтобы их можно было считать чистыми. Степень чистоты материала контролируют путем сравнения его удельного сопротивления с удельным сопротивлением идеально чистого материала, так как методами химических анализов выполнить это не удается. [1]
Проводимость полупроводниковых материалов резко повышается при нагревании. [2]
 |
Конструкция маломощного плоскостного транзистора. [3] |
Что такое проводимость полупроводникового материала и какие существуют типы проводимости. [4]
Буквы означают тип проводимости полупроводникового материала, из которого изготовлен транзистор. В транзисторах обоих типов стрелкой отмечается эмиттер, направление стрелки указывает направление протекания тока. [5]
При достаточно большой энергии светового потока проводимость полупроводниковых материалов возрастает. [6]
 |
Схема элемента ТТЛ.| Схема элементов ТЛЭС.| Инверторы на основе МОП-транзисторов. [7] |
Принцип действия МОП-транзисторов основан на изменении проводимости полупроводникового материала под воздействием электрического поля. Они управляются не-током, как биполярные транзисторы, и напряжением, поэтому являются аналогами электронных ламп. [8]
Температурная зависимость параметров в основном обусловливается изменением характера проводимости полупроводниковых материалов и соответственным изменением свойств электронно-дырочных переходов. [9]
 |
Схема установки для определения типа проводимости методом термозонда. [10] |
Метод термозонда является наиболее простым для определения типа проводимости полупроводниковых материалов, так как он не требует специального и сложного оборудования. [11]
При увеличении числа квантов с подходящей длиной волны или частотой проводимость полупроводниковых материалов возрастает. [12]
Иа рис. 14.20 приведена температурная зависимость концентрации носителей и уровень проводимости полупроводниковых материалов, которые при низких температурах являются примесными полупроводниками, а при высокой температуре-собственными. При низких температурах ( область /) концентрация носителей зависит от температуры, так как относительно небольшое различие в энергиях ( - 0 1 эВ) между акцепторными ( донорными) уровнями и краем валентной зоны ( зоны проводимости) могут преодолеть лишь немногие электроны. При возрастании температуры обе зависимости выходят на насыщение ( область 2), когда концентрация примесных носителей принимает максимальное значение. [13]
 |
Номограммы для выбора размеров упругих элементов. [14] |
В полупроводниках тен-зоэффект связан со значительным изменением удельного сопротивления, при этом знак тензоэффекта определяется типом проводимости полупроводникового материала. [15]
Страницы: 1 2