Проводимость - примесный полупроводник
Cтраница 1
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости In 7 от 1 / Г для примесных полупроводников. Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок 6С соответствует области истощения примесей ( это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника. [1]
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому проводимость примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. [2]
Уровень проводимости примесных полупроводников может точно определяться концентрацией вводимой примеси. Это используют при синтезе материалов с определенным уровнем проводимости. Что касается собственных полупроводников, то уровень нх проводимости существенно зависит от температуры и наличия случайных примесей. [3]
Чем определяется проводимость примесных полупроводников. [4]
В зависимости от процентного содержания примеси проводимость примесного полупроводника возрастает по сравнению с собственной проводимостью полупроводника в десятки и сотни тысяч раз. Например, если в нормальных условиях в 1 см3 чистого германия содержится примерно 4 2 1022 атомов и 2 5 1013 электронов проводимости и дырок, то примесь мышьяка в количестве 0 001 % вызовет появление в том же объеме дополнительно 1017 электронов проводимости, которые обеспечат увеличение электронной проводимости примерно в 10 000 раз. [5]
В зависимости от процентного содержания примеси проводимость примесного полупроводника возрастает по сравнению с собственной проводимостью полупроводника в десятки и сотни тысяч раз. Например, если в нормальных условиях в 1 см3 чистого германия содержится примерно 4 2 - 1022 атомов и 2 5 - 1013 электронов проводимости и дырок, то примесь мышьяка в количестве 0 001 % вызовет появление в том же объеме дополнительно 1017 электронов проводимости, которые обеспечат увеличение электронной проводимости примерно в 10 000 раз. [6]
 |
Искрения кристаллической решетки полупроводника. [7] |
В зависимости от процентного содержания примеси проводимость примесного полупроводника возрастает по сравнению с собственной проводимостью полупроводника в десятки и сотни тысяч раз. [8]
 |
Изменение подвижности от температуры. [9] |
Закон действия масс. При обсуждении температурной зависимости проводимости собственных и примесных полупроводников допускали, что при возбуждении примесей основные носители не участвуют в электропроводности. В действительности же и в примесном полупроводнике в какой-то мере происходит возбуждение собственных носителей тока. [10]
 |
Схема режимов работы р-п-перехода. [11] |
Полупроводники с акцепторной примесью называются примесными полупроводниками типа р и имеют дырочную проводимость. Меняя количество примеси, можно изменять величину проводимости примесных полупроводников. [12]
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому проводимость примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. [13]
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости In 7 от 1 / Г для примесных полупроводников. Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок 6С соответствует области истощения примесей ( это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника. [14]
При этом надо учитывать, что вторичные электроны пылетают не с самой поверхности сложного катода, а с некоторой глубины и что основной причиной, тормозящей их движение, является взаимодействие их с электронами полосы проводимости. Возрастание числа электронов проводимости примесных полупроводников сверх некоторого оптимального значения должно уменьшать вторичную эмиссию. Одна пи предложенных качественных теорий объясняет большую вторичную эмиссию из кислородно-цезиевых и подобных им катодов специфическим расположением полосы проводимости полупроводника, являющегося промежуточным слоем этих катодов, аналогично одному из объяснений большой их чувствительности в отношении фотоэффекта. [15]
Страницы: 1 2