Проводимость - чистый полупроводник
Cтраница 1
Проводимость чистого полупроводника принято рассматривать как собственную проводимость, в то время как проводимость, обусловленную примесью, классифицируют как проводимость примесную. [1]
 |
Плотность состояний в чистом ( р и в сильно легированном ( р полупроводнике. [2] |
За нуль принято дно зоны проводимости чистого полупроводника. [3]
Примеси посторонних атомов, даже в небольшом количестве, резко влияют на величину и характер проводимости чистых полупроводников. [4]
 |
Механизм излуча-гельной рекомбинации в полупроводниковом лазере. [5] |
Однако при более высоких концентрациях, которые обычно используются в инжекциояных лазерах ( см. ниже), большинство данных указывает на то, что приметные зоны сливаются с собственными зонами полупроводника настолько, что их уже невозможно различить, и излу-чательные переходы происходят между состояниями, очень похожими на состояния валентной зоны и зоны проводимости чистого полупроводника. [6]
Отметим, что в чистом полупроводнике всегда имеется поровну свободных электронов и дырок. Поэтому проводимость чистых полупроводников наполовину дырочная и наполовину электронная. Такую проводимость принято называть собственной проводимостью полупроводников. [7]
Так, последовательно переходя из одного атома в другой, дырка, появившаяся в крайнем правом атоме 3, через некоторое время образуется в крайнем левом атоме / ( рис. 5, б, положение / / /), затем процесс будет повторяться. Таким образом, проводимость чистого полупроводника обусловлена встречным перемещением одинакового количества отрицательных и лоложительных носителей зарядов. Перемещение дырок совпадает с направлением электрического поля, а перемещение электронов имеет встречное направление, в соответствии с чем различают два вида проводимости полупроводников: электронную и дырочную. В кристаллической решетке атомы не перемещаются, а стационарно расположены в узлах решетки и движение дырки - это поочередная ионизация неподвижных атомов. Следовательно, нельзя представлять дырку как непосредственное перемещение положительных зарядов; дырка - понятие чисто условное. Термин дырка введен для упрощения рассмотрения сложных процессов движения электронов в кристаллической решетке. [8]
Для построения полупроводниковых приборов ( диодов и триодов) используют германий и кремний. Но электропроводность химически чистых полупроводников при комнатной температуре очень мала, так как концентрация носителей зарядов при этом незначительна. Проводимость чистого полупроводника называется собственной проводимостью. [9]
Из рис. 19, а ( атом с дыркой изображен заштрихованным, а нейтральный атом - светлым) видно, что процесс перемещения дырки от одной парноэлектронной связи к другой равноценен перемещению частицы, имеющей положительный заряд. При отсутствии внешнего электрического поля движение электронов и дырок в кристалле происходит беспорядочно. Под действием электрического поля напряженностью Е ( рис. 19, а), приложенного к кристаллу, движение электронов и дырок становится упорядоченным, и в кристалле возникает электрический ток. Так, последовательно переходя от одного атома к другому, дырка, появившаяся в крайнем правом атоме 3, через некоторое время образуется в крайнем левом атоме / ( рис. 19, а, III), затем процесс будет повторяться. Таким образом, проводимость чистого полупроводника обусловлена встречным перемещением одинакового количества отрицательных и положительных носителей зарядов. Перемещение дырок совпадает с направлением электрического поля, а перемещение электронов - имеет встречное направление, в соответствии с чем различают два вида проводимости полупроводников - электронную и дырочную. В кристаллической решетке атомы не перемещаются, а стационарно расположены в узлах решетки и движение дырки - это поочередная ионизация неподвижных атомов. Следовательно, нельзя представлять дырку как непосредственное перемещение положительных зарядов; дырка - понятие чисто условное. Термин дырка введен для упрощения рассмотрения сложных процессов движения электронов в кристаллической решетке. [10]
Из рис. 19, а ( атом с дыркой изображен заштрихованным, а нейтральный атом - светлым) видно, что процесс перемещения дырки от одной парноэлектронной связи к другой равноценен перемещению частицы, имеющей положительный заряд. При отсутствии внешнего электрического поля движение электронов и дырок в кристалле происходит беспорядочно. Под действием электрического поля напряженностью Е ( рис. 19, а), приложенного к кристаллу, движение электронов и дырок становится упорядоченным, и в кристалле возникает электрический ток. Так, последовательно переходя от одного атома к другому, дырка, появившаяся в крайнем правом атоме 3, через некоторое время образуется в крайнем левом атоме / ( рис. 19, а, III), затем процесс будет повторяться. Таким образом, проводимость чистого полупроводника обусловлена встречным перемещением одинакового количества отрицательных и положительных носителей зарядов. Перемещение дырок совпадает с направлением электрического поля, а перемещение электронов - имеет встречное направление, в соответствии с чем различают два вида проводимости полупроводников - электронную и дырочную. В кристаллической решетке атомы не перемещаются, а стационарно расположены в узлах решетки и движение дырки - это поочередная ионизация неподвижных атомов. Следовательно, нельзя представлять дырку как непосредственное перемещение положительных зарядов; дырка - понятие чисто условное. Термин дырка введен для упрощения рассмотрения сложных процессов движения электронов в кристаллической решетке. [11]
Страницы: 1