Проводимость - собственный полупроводник
Cтраница 1
Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами - дырками, называется дырочной проводимостью или проводимостью / мгипа ( от лат. [1]
 |
Процесс образования пары электрон - дырка в решетке под действием фонона ( или фотона. [2] |
Проводимость собственного полупроводника, обусловленную парными носителями теплового происхождения, называют собственной. [3]
Чем обусловлена проводимость собственных полупроводников. [4]
 |
Температурная зависимость электропроводности собственных полу. [5] |
При данной температуре концентрация носителей заряда и проводимость собственных полупроводников определяется шириной их запрещенной зоны. Это наглядно видно и данных табл. 7Л, в которой приведена ширина запрещенной зоны и удельное сопротивление элементов IV группы таблицы Д. И. Менделеева, имеющих решетку типа алмаза. С уменьшением ширины запрещенной зоны с 1 12 ( кремний) до 0 08 эВ ( серое олово) удельное сопротивление при комнатной температуре уменьшается на 9 порядков. [6]
Число этих пар в стационарном режиме определяется равновесием между процессами термогенерации и рекомбинации носителей. Проводимость собственного полупроводника, обусловленную парными носителями теплового происхождения, называют собственной. [7]
Чем обусловлена проводимость собственных полупроводников. [8]
При наложении на полупроводник внешнего электрического поля свободные электроны и дырки в нем начинают двигаться упорядоченно: электроны - против направления внешнего поля, а дырки - - по направлению этого поля. Таким образом, проводимость собственных полупроводников электронно-дырочная. Ее называют собственной проводимостью. [9]
 |
Зависимость собственной проводимости полупроводника от. [10] |
В то время, как в металлах концентрация носителей заряда практически не зависит от температуры и температурная зависимость их проводимости целиком определяется температурной зависимостью подвижности носителей, в полупроводниках наоборот, концентрация носителей весьма резко зависит от температуры (6.16) и температурная зависимость их проводимости практически полностью определяется температурной зависимостью концентрации носителей. При данной температуре концентрация носителей заряда и проводимость собственных полупроводников определяются шириной их запрещенной зоны. Это наглядно видно из данных табл. 7.4, в которой приведена ширина запрещенной зоны и удельное сопротивление элементов IV группы таблицы Менделеева, имеющих решетку типа алмаза. [11]
В отличие от собственного полупроводника у полупроводника л-типа кривая распределения Ферми - Дирака и уровень Ферми смещаются вверх. Это объясняется тем, что атомы примеси обладают энергетическими уровнями, отличающимися от уровней собственного полупроводника. Пятивалентные примеси имеют энергетические уровни валентных электронов вблизи зоны проводимости собственного полупроводника. Величина & WnWn-Wf мала ( около 0 05 эВ), поэтому даже при комнатной температуре почти все электроны с примесного уровня переходят в зону проводимости. Концентрация электронов в зоне проводимости полупроводника - типа определяется выражением nn Na ntKNu, где N - концентрация доноров. [12]
В отличие от собственного полупроводника у полупроводника и-типа кривая распределения Ферми - Дирака и уровень Ферми смещаются вверх. Это объясняется тем, что атомы примеси обладают энергетическими уровнями, отличающимися от уровней собственного полупроводника. Пятивалентные примеси имеют энергетические уровни валентных электронов вблизи зоны проводимости собственного полупроводника. Величина AWnWn - WF мала ( около 0 05 эВ), поэтому даже при комнатной температуре почти все электроны с примесного уровня переходят в зону проводимости. Концентрация электронов в зоне проводимости полупроводника и-типа определяется выражением пп Л пх к, Na, где Na - концентрация доноров. [13]
При О К и отсутствии других внешних факторов собственные полупроводники ведут себя как диэлектрики. При наложении на кристалл электрического поля они перемещаются против поля и создают электрический ток. Таким образом, зона II из-за ее частичного укомплектования электронами становится зоной проводимости. Проводимость собственных полупроводников, обусловленная электронами, называется электронной проводимостью или проводимостью п-типа ( от лат. [14]
На рис. 1.1 приведена энергетическая диаграмма полупроводника. На ней показаны нижняя граница ( дно) зоны проводимости Еп и верхняя граница ( потолок) валентной зоны Еъ. Между уровнями энергии Еп и ЕВ расположена зона запрещенных значений энергии электронов. С ростом АЕ3 число электронно-дырочных пар и, следовательно, проводимость собственного полупроводника, уменьшаются, а удельное сопротивление возрастает. Принято относить к полупроводникам вещества с А. У металлов рЮ - 4Ом - см и сохраняется низким даже при T-Q К из-за существования свободных электронов в частично заполненной зоне проводимости. [15]
Страницы: 1