Проводимость - обратная связь
Cтраница 1
 |
Влияние сопротивления в цепа сегки триода, работающего в схеме с заземленной сеткой, ш емкость обратной связи. [1] |
Проводимость обратной связи состоит из статической внутренней проводимости, параллельно которой лежит проходная емкость, зависящая от пространственного заряда. [2]
 |
Влияние сопротивления в цепа сегки триода, работающего в схеме с заземленной сеткой, ш емкость обратной связи. [3] |
Проводимость обратной связи имеет конечную действительную компоненту при 0i0, параллельно которой лежит емкость d, зависящая от пространственного заряда. [4]
Предположим, что проводимости обратной связи для схемы включения с общим эмиттером Y6, K и с общей базой Y5, K YK K незначительны и ими можно пренебречь. [5]
Поскольку проводимость gi2 является проводимостью обратной связи, то для улучшения однонаправленности ее значение должно быть как можно меньшим. Максимально допустимое обратное смещение на коллекторном переходе ограничено значением напряжения, при котором нарушается нормальная работа триода. [6]
Допустим, что теперь изменяется проводимость обратной связи У, а все остальные параметры формулы ( 195) - постоянны. [7]
Уменьшение крутизны S, входной проводимости g и увеличение проводимости обратной связи У0бр транзистора при малых коллекторных токах, а также увеличивающаяся в этих условиях чувствительность параметров к изменению температуры приводят к ухудшению усилительных и частотных свойств и понижению стабильности работы усилителя. [8]
Каскодные усилители ОЭ-ОБ по сравнению со схемами ОЭ имеют на несколько порядков меньшую проводимость обратной связи [30], что повышает устойчивость усилителей, облегчает построение многокаскадных широкополосных усилителей и позволяет эффективно применять индуктивную коррекцию. [9]
Из выражений (3.73) следует, что отрицательная обратная связь по напряжению параллельного типа практически не изменяет параметров транзистора, за исключением проводимости обратной связи, которая увеличивается и оказывается равной l / Zu. Однако именно в результате увеличения проводимости обратной связи значительно изменяются входная и выходная проводимости каскада и, следовательно, коэффициент усиления усилителя в целом. [10]
Из выражений (3.73) следует, что отрицательная обратная связь по напряжению параллельного типа практически не изменяет параметров транзистора, за исключением проводимости обратной связи, которая увеличивается и оказывается равной l / Zu. Однако именно в результате увеличения проводимости обратной связи значительно изменяются входная и выходная проводимости каскада и, следовательно, коэффициент усиления усилителя в целом. [11]
Для анализа и практического применения целесообразно заменить обозначения У-параметров такими, которые бы раскрывали их физический смысл. В общем случае эти параметры имеют комплексный характер и их следует обозначить: Уп - У - входная проводимость; К1а - У обр - проводимость обратной связи; F21 S - крутизна характеристики; F22 YI - выходная проводимость. [12]
При выводе соотношений ( 43) и ( 44) не учитывалось влияние междуэлектродных емкостей и других реактивных свойств лампы, которые проявляются тем сильнее, чем выше частота усиливаемого электрического сигнала. На величину параметров ламп в диапазоне сверхвысоких частот, кроме междуэлектродных емкостей, влияет конечное время пролета электронов, индуктивность выводов электродов и др. В связи с этим все четыре параметра лампы-входная и выходная проводимости, проводимость обратной связи и крутизна - комплексные величины, имеющие активные и реактивные составляющие. [13]
Сигнал в оптопаре передается только от светоизлучателя к фотоприемнику. Поэтому четырехполюсник должен быть направленным. Его схема содержит лишь идеальные генераторы, а проводимость обратной связи четырехполюсника у - О. [14]
Представленная эквивалентная схема транзистора в значительной степени сходна с изображенной на фиг. И в той и другой схеме проводимость У12 характеризует обратную связь между входом и выходом усилительного элемента. В лампе эта связь обусловлена проходной емкостью сетка - анод Cga, а в транзисторе - параллельной цепью из активной проводимости и емкости. При этом следует заметить, что проводимость обратной связи в транзисторной схеме значительно выше, чем в ламповой, вследствие чего усилители на транзисторах менее устойчивы, чем ламповые. При оценке усилительных свойств каскада следует также принимать во внимание комплексный характер крутизны S транзистора и ее зависимость от частоты. [15]
Страницы: 1