Проводимость - поверхностный слой
Cтраница 2
Игольчатые электроды снабжены изоляционными втулками, покрывающими верхнюю часть электродов, начиная с основания, благодаря чему при измерениях исключается проводимость поверхностного слоя материала. Второй отличительной особенностью датчика является устройство для нагрева электродов. [16]
То, что этот коэффициент сильно меняется в различных экспериментальных условиях, не является удивительным, так как он зависит, например, от плотности механического контакта между солью и металлом. Значение р, полученное Гудменом, приводит к проводимости поверхностного слоя при 0 2 К, равной 1 6 - 103 эрг / сек-см 2-град; теплопроводность хромо-калиевых квасцов при этой температуре составляет 4 - 103 эрг / сек - см - град, теплопроводность меди-4 - 10е эрг ] сек-см-град и теплопроводность жидкого гелия - 105 эрг / сек-см-град. [17]
 |
Зависимость среднего сухоразрядного напряжения по поверхности в равномерном поле от расстояния между электродами. [18] |
Отличительной особенностью работы изоляции на постоянном напряжении является регулирование электрического поля проводимостя-ми, а не емкостями, как на переменном напряжении. Поэтому на поверхностное разрядное напряжение решающее влияние оказывает проводимость поверхностного слоя. Возможно резкое снижение разрядного напряжения в случае частичного смачивания или загрязнения изоляции1, когда возникает резкая неравномерность распределения напряжения по изоляции. Принципиально эффективным средством повышения разрядного напряжения является применение изоляторов, изготовленных из полупроводящей массы или имеющих полупроводящую глазурь. Однако технология изготовления таких изоляторов пока еще несовершенна. [19]
Датчик состоит из металлических электродов /, жестко закрепленных на основании 2, выполненном из нагревостойкого диэлектрика. При надлежащем выборе высоты втулок при измерениях исключается проводимость поверхностного слоя материала. Перед измерением электроды нагревают до температуры, превышающей температуру размягчения материала. [20]
 |
Датчик для жестких кож влагомера ЭВК. [21] |
Датчик состоит из металлических электродов 1, жестко закрепленных на основании 2, выполненном из нагревостойкого диэлектрика. При надлежащем выборе высоты втулок при измерениях исключается проводимость поверхностного слоя материала. [22]
Реальные изолирующие материалы отличаются от идеальных диэлектриков тем, что они содержат некоторое количество ионов и свободных электронов. Ток проводимости проходит как через толщу изолирующего материала, так и по тонкому поверхностному слою. Проводимость поверхностного слоя определяется в основном влажностью поверхности изолирующего материала и наличием на нем проводящих осадков. Поэтому для изолирующих материалов вводится понятие о двух сопротиз-лениях: поверхностном и объемном. [23]
То, что этот коэффициент сильно меняется в различных экспериментальных условиях, не является удивительным, таг; как он зависит, например, от плотности механического контакта между солью п металлом. Значение р, полученное Гудменом, приводит к проводимости поверхностного слоя при 0 2 К, равной 1G - 10: 1 эрг / сек - см1 - гра1; теплопроводность хромо-калиевых квасцов при этой температуре составляет 4 - ИР у / и / сск-см-арад, теплопроводность меди-4 - 10й эрг / сек см грк н теплопроводность жидкого гелия - 105 эрг. [24]
Распространение средних волн ( 200 - 3000 м) представляет большой интерес, так как они используются для радиовещания. На этом диапазоне пространственные волны днем очень сильно поглощаются в ионосфере и практически не могут быть использованы для радиосвязи. Поверхностные волны также сильно поглощаются в земле, причем это поглощение тем больше, чем ороче волна и чем хуже проводимость поверхностного слоя земли. Наименьшее поглощение создает морская водг, наибольшее - сухая почва. Таким образом, средние волны днем распространяются на сравнительно небольшое расстояние, а с наступлением темноты дальность связи резко возрастает, так как резко уменьшается поглощение этих волн при отражении от ионосферы. Увеличение дальности связи за счет уменьшения поглощения в ионосфере происходит также зимой. [25]
 |
Разрез структуры МДП-транзистора с индуцированным каналом. [26] |
При соединении полупроводника - типа проводимости с диэлектриком для образования канала дырочной проводимости необходимо к затвору приложить отрицательное напряжение. Это напряжение, во-первых, компенсирует положительный заряд, сосредоточенный на границе раздела диэлектрик - полупроводник, во-вторых, оттесняет основные носители заряда ( электроны) из приповерхностной зоны. Дальнейшее увеличение абсолютной величины отрицательного напряжения на затворе приводит к тому, что концентрации ионов примеси будет недостаточно для компенсации электрического поля в диэлектрике. В результате происходит инверсия типа проводимости поверхностного слоя и образование канала дырочной проводимости. Образовавшийся между стоком и истоком канал работает только в режиме обогащения, так как чем больше напряжение на затворе превышает напряжение инверсии, тем больше проводимость пвверх-ностного слоя. [27]
Рассмотрим теперь, какие изменения происходят при внедрении выделяющегося водорода в поверхностный слой полупроводника. Кроме того, обнаружены высокие скорости поверхностной рекомбинации после катодной обработки германия в большинстве электролитов. Адсорбция водорода на германий резко увеличивает число центров рекомбинации и генерации носителей тока. Генерация носителей тока на новых примесных уровнях, образованных в результате внедрения водорода, увеличивает проводимость поверхностного слоя полупроводника и тем самым ликвидирует дополнительный скачок потенциала на германии р-типа. Кроме того, генерация дополнительных носителей тока возможна также вследствие появления дефектов кристаллической решетки при внедрении в нее водорода. Изучение действия света на катодные процессы на германии8 показало, что генерация дополнительных носителей тока на поверхности германия р типа возможна также и при облучении катода. Этот эффект особенно характерен для щелочных растворов, где изменение поляризации при действии света достигает нескольких вольт. [28]
Заметное снижение яркости люминесценции и уменьшение электропроводимости под действием электроотрицательных адсор-батов происходит и у люминофоров на основе сульфидов цинка и кадмия, например у ZnS-Cl - фосф ора и у CdS. Этот эффект играет особенно существенную роль в случае мелкозернистых люминофоров, размер зерен которых, не превышающий нескольких микрон, сопоставим с длиной экранирования. Введение донорных примесей ( например, CdCb) в CdS позволяет, по крайней мере частично, скомпенсировать акцепторное действие созданных адсорбированными молекулами кислорода поверхностных уровней и увеличить благодаря этому темновую проводимость и фотопроводимость ( сравн. С другой стороны, при получении фотопроводников адсорбция кислорода может играть и положительную роль, если повышенная по тем или иным причинам проводимость поверхностного слоя препятствует обнаружению объемной фотопроводимости кристаллов. [29]
Если потеря была невелика, то можно было считать, что при постепенном заряжении электрометра за то же время будет потеряна половина того количества электричества, которое теряется при первоначальном заряде до предельной величины. Проводимость поверхностного слоя изолирующего кольца имеет электролитический характер; каждое заряжение центрального электрода вызывает поэтому поляризацию, способную в свою очередь затем зарядить электрометр. [30]
Страницы: 1 2 3