Проводимость - твердое тело
Cтраница 1
Проводимость твердых тел и зависимость ее от температуры определяется составом и структурой вещества. У кристаллических диэлектриков с ионной решеткой проводимость связана с валентностью ионов. [1]
При каких условиях возникает проводимость твердого тела. [2]
Показано [107], что проводимость твердых тел влияет на релаксацию заряда. [3]
 |
Зависимость отношения alt ( плотности зарядов, образующихся при контакте диэлектрика с металлом, к диэлектрической постоянной диэлектрика от удельного объемного сопротивления. [4] |
Показано [3], что проводимость твердых тел влияет на релаксацию заряда. [5]
Электроны, которые обеспечивают проводимость твердого тела, называют электронами зоны проводимости, причем под словом зона понимают совокупность тесно расположенных энергетических уровней. III, § 60) зесьма важный и общий принцип, определяющий распределение электронов по возможным энергетическим уровням, так называемый принцип Паули. Пока отметим только, что по этому принципу все электроны, принадлежащие к одной системе, имеют различные квантовые состояния. [6]
Передвижение электрона по решетке обусловливает проводимость твердого тела. В полупроводниках электрон перескакивает из валентной зоны или с энергетического уровня примеси, введенной в полупроводник, в зону проводимости. Создание разнообразных дефектов в решетке способствует образованию не одиночных энергетических уровней, а узких зон, в которых транспортирование электрода облегчено. [7]
Гальваномагнитные явления обусловлены влиянием магнитного поля на траектории электронов проводимости твердых тел. [8]
Обычно катионная хемосорбция протекает так, что инородный атом отдает электрон в зону проводимости твердого тела. Она носит кумулятивный характер, и электропроводность твердого тела повышается. Избыточный электрон, который вносится в систему инородным атомом, не локализован, амплитуда его волновой функции на инородном атоме крайне мала и распределение заряда соответствует присутствию катиона на поверхности. [9]
Ввиду того что твердый катализатор или стенка осуществляет валентное взаимодействие с реагентами посредством обобщенных электронов проводимости и дырок, проводимость твердого тела играет решающую роль в гетерогенном катализе. Увеличение проводимости и, следовательно, повышение каталитической активности достигается путем создания дефектов либо в виде ионов, находящихся в междоузлиях, либо в виде вакантных узлов решетки, либо путем введения посторонних ионов другой валентности, одним словом, отклонением от стехиомет-рического состава. [10]
Ввиду того что твердый катализатор или стенка осуществляет валентное взаимодействие с реагентами посредством обобщенных электронов проводимости и дырок, проводимость твердого тела играет решающую роль в гетерогенном катализе. Увеличение проводимости и, следовательно, повышение каталитической активности достигается путем создания дефектов либо в виде ионов, находящихся в междоузлиях, либо в виде вакантных узлов решетки, либо путем введения посторонних ионов другой валентности, одним словом, отклонением от стехиометрического состава. [11]
Поскольку поверхностная плотность квазисвободных электронов и дырок твердого тела связана с их объемной плотностью в решетке, то должна существовать зависимость между пол у проводимостью твердого тела и его каталитическими свойствами. [12]
Одним из предельных случаев связывания адсорбата является ионо-сорбция. При этом свободный электрон из зоны проводимости твердого тела или свободная дырка из валентной зоны захватываются или инжектируются сорбированной молекулой. Ионосорбция представляет собой случай образования ионной связи. Примером ее является образование поверхностной связи воды с ионами примеси. [13]
Он предположил, что при приближении адсорбированной молекулы достаточно близко к поверхности должны возникать поверхностные энергетические уровни, расположенные ниже, чем занятые электронные уровни в объеме твердого тела. Леннард-Джонс указал на возможность обмена, ведущего к образованию гомеополярных связей с участием электронов проводимости твердого тела или более глубоко расположенных незаполненных cf - оболочек атомов. В последнем случае, как показала экспериментальная работа Бика [2], могут возникнуть прочные связи. [14]
У полупроводников заполненная электронами валентная зона и зона проводимости не перекрываются, но близки по энергии. При наложении электрического поли, повышении температуры или под действием других факторов электроны в валентной зоне возбуждаются ( энергия их возрастает) и они переходят через запрещенную зону в зону проводимости. При этом освобождаются энергетические уровни валентной зоны с более высокой энергией, а проводимость твердых тел возрастает. Освобожденные энергетические уровни могут быть заняты электронами валентной зоны, находящимися на энергетических уровнях с более низкой энергией. Эти электроны таким образом участвуют в проводимости. [15]
Страницы: 1 2