Проводимость - тип
Cтраница 1
 |
Типовая вольтамперная характеристика германиевого диода. [1] |
Проводимость типа р создается избыточными носителями положительных зарядов, так называемыми дырками, образующимися вследствие недостатка электронов в слое. В слое типа п проводимость осуществляется избыточными электронами. [2]
Область проводимости типа п характеризуется тем, что прохождение тока здесь происходит за счет переноса отрицательно заряженных электронов, избыточное количество которых создается путем ввода в монокристалл полупроводника до-норных примесей, например сурьмы, мышьяка, фосфора. В области проводимости типа р прохождение тока обусловлено переносом положительно заряженных дырок ( дырка - это атом, у которого не хватает одного электрона и который, следовательно, обладает положительным зарядом, по абсолютной величине равным заряду электрона), дырки получаются путем введения в монокристалл полупроводника акцепторных примесей, например индия, бора, алюминия. [3]
Германий с проводимостью типа п называется донором, а типа р - акцептором. Если в едином куске германия происходит резкий переход от области с р-проводимостью к области с л-проводи-мостью, то плоскость раздела между ними обладает ярко выраженными свойствами односторонней проводимости. Кроме того, в некоторых случаях подобные диоды могут выдерживать пиковые обратные напряжения в не-сколько сот вольт. [4]
 |
Электрические параметры плоскостных германиевых триодов типов П8 - ПИ.| Электрические параметры плоскостных германиевых триодов типов П13 - П151. [5] |
Триоды обладают проводимостью типа рпр. [6]
Электронная проводимость и проводимость типа протонных полупроводников встречается в растворах сравнительно реже. [7]
 |
Полупроводниковый диод. [8] |
Дырочную проводимость называют проводимостью типа р, а соответствующие примеси - акцепторами. [9]
 |
Прохождение зарядов через р-п переход. [10] |
Если слой с проводимостью типа р соединить с положительным полюсом источника постоянного тока, а слой типа п - с отрицательным, то дырки и электроны будут двигаться навстречу друг другу. При этом через переход может проходить значительный ток. [11]
 |
Принципиальная схема включения полупроводникового триода.| Образование тока базы плоскостного триода. [12] |
Кристалл германий, имеющий проводимость типа п, сплавляется с двумя кусочками металлического индия. [13]
Тонкий слой 4 с проводимостью типа п, образующийся на поверхности полупроводника типа р, называется инверсионным. Этот слой образует проводящий канал между истоком и стоком. При изменении напряжения на затворе изменяется толщина инверсионного слоя, проводимость канала и ток в цепи стока. [14]
 |
Транзисторный усилитель на сопротивлениях, включенный по схеме с общим эмиттером. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5