Cтраница 2
Принципиальная схема прибора представлена на рисунке. На левой половине двойного триода 6Н2П собран двухконтурный генератор с положительной обратной связью через емкость лампы С. Параллельно сеточному контуру подключен емкостный датчик Сг. Этому соответствует определенный ток через лампу и определенное напряжение на ее аноде. При наложении образца на пластины датчика емкость его меняется за счет изменения диэлектрической постоянной среды в его зазоре и возрастают потери за счет активной проводимости кристалла. Поскольку датчик включен параллельно сеточному контуру, то изменение емкости и проводимости датчика вносится в контур, шунтируя его. Сеточный контур расстраивается относительно анодного. Амплитуда колебаний падает, что приводит к изменению тока через лампу и напряжения на ее аноде. Величина расстройки зависит от сопротивления участка кристалла, перекрывающего зазор датчика, а значит, и от удельного сопротивления образца. Диэлектрическая проницаемость считается примерно одинаковой для всех кристаллов, и расстройка, обусловленная ею, с точностью в пределах ошибки измерений для всех образцов будет постоянной. [16]
Принципиальная схема прибора представлена на рисунке. На левой половине двойного триода 6Н2П собран двухконтурный генератор с положительной обратной связью через емкость лампы С. Параллельно сеточному контуру подключен емкостный датчик Сх. Этому соответствует определенный ток через лампу и определенное напряжение на ее аноде. При наложении образца на пластины датчика емкость его меняется за счет изменения диэлектрической постоянной среды в его зазоре и возрастают потери за счет активной проводимости кристалла. Поскольку датчик включен параллельно сеточному контуру, то изменение емкости и проводимости датчика вносится в контур, шунтируя его. Сеточный контур расстраивается относительно анодного. Амплитуда колебаний падает, что приводит к изменению тока через лампу и напряжения на ее аноде. Величина расстройки зависит от сопротивления участка кристалла, перекрывающего зазор датчика, а значит, и от удельного сопротивления образца. Диэлектрическая проницаемость считается примерно одинаковой для всех кристаллов, и расстройка, обусловленная ею, с точностью в пределах ошибки измерений для всех образцов будет постоянной. [17]
На средний электрод подается напряжение высокой частоты, крайние электроды заземлены. При изменении содержания катализатора в смеси меняется сопротивление раствора и в меньшей степени меняется его диэлектрическая проницаемость. Величина комплексной проводимости измеряется прибором, состоящим из генератора высокой частоты с выходом на чувствительный ламповый вольтметр. Генератор высокой частоты собран на лампе 6НЗП ( или 6Н5П) по трехточечной схеме; анод по высокой частоте заземлен. Питание генератора и вольтметра стабилизировано. Генератор работает на частоте 20 Мгц. Амплитуда высокой частоты на контуре остается постоянной и не зависит от проводимости датчика. [18]
Структурная схема аппаратуры для измерения пленок методом электрической проводимости. [19] |
Авторы утверждают, что при изменении температуры и химического состава жидкости сигналы на выходе усилителя будут зависеть только от толщины пленки над соответствующими датчиками. Как показали исследования резистивных и емкостных датчиков толщины пленки, требование хорошей линейности на нужном диапазоне ( 1 мм) находится в противоречии с линейными размерами датчиков. Стремление уменьшить датчики приводит к сужению диапазона измерений, и практически как для резистивных, так и для емкостных датчиков расстояние между электродами должно быть примерно равно толщине измеряемой пленки жидкости. Как известно, коаксиальные датчики не нуждаются в ориентировке в зависимости от направления течения. В [117] применялись стержневые датчики, установленные поперек канала. В этом случае, используя сравнительно небольшие по диаметру электроды ( 0 4 - 1 2 мм) при умеренных расстояниях между ними ( 1 - 4 мм), удалось добиться хорошей локальности измерений толщин пленок. Импульс изменения проводимости передается с искажениями, затягивающими импульс. Проводимость датчика начинает изменяться до появления скачка над центром датчика. [20]