Проходная проводимость
Cтраница 2
В результате сильной связи входных и выходных цепей через обратную проходную проводимость наблюдается взаимозависимость настроек контуров этих цепей. Кроме того, необходимость частичного подключения контуров к транзистору в целях снижения эффекта шунтирования контуров низкими входной и выходной проводимостями транзистора приводит к образованию паразитных контуров и, при определенных условиях, к паразитному самовозбуждению. Это самовозбуждение обычно наблюдается в некоторую часть периода основных колебаний, так как параметры транзистора в режиме сильных сигналов сильно меняются в течение периода и условия самовозбуждения выполняются только в определенные моменты времени. [16]
В транзисторных усилительных приборах ( рис. 7.4 а) внутренняя обратная связь определяется проходной проводимостью усилительного прибора z / ia и емкостью монтажа Ст между проводниками входной и выходной цепей этого прибора. [17]
Ки - Они обладают значительной проходной емкостью ССА - Эта емкость и определяемая ею проходная проводимость Упрох ( см. § 10.7) создает в триоде обратную связь между входной и выходной цепями, что может исказить частотные и фазочастотные характеристики усилительного каскада, привести к его возбуждению, снизить максимально допустимый коэффициент усиления с повышением частоты сигнала. [18]
В полосовых усилителях существует несколько видов паразитных обратных связей: внутренние обратные связи через обратную проходную проводимость активного элемента у12; внешние обратные связи через электрические п магнитные поля и общие цепи питания и регулирования. [19]
Реализация высокого усиления по мощности в высокочастотных усилителях связана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной проходной проводимостью транзистора УИ. В настоящее время разработаны транзисторы, у которых для снижения емкости обратной связи в структуру введен интегральный экран ( экран Фа-радея), представляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополнительного экранирующего диода. Применение интегрального экрана позволяет снизить емкость между коллекторным и базовым выводами в 2 5 - 4 раза ( емкость С э снижается до значения не более 0 3 пФ) и обеспечивает получение высокого усиления без применения схем нейтрализации. [20]
Основное внимание при проектировании и наладке УПЧ уделяется термостабилизации коэффициента усиления, величина которого прямо пропорциональна прямой проходной проводимости транзистора. [21]
Внутренняя обратная связь в каскодной схеме мала, так как оба усилительных прибора эквивалентны одному с малой проходной проводимостью. [22]
В лампах и транзисторах из-за наличия проходной проводимости имеется внутренняя обратная связь ( действие выходного напряжения через проходную проводимость на входное напряжение каскада), которая может вызвать самовозбуждение каскада или исказить форму частотной характеристики входного контура. Наиболее сильна обратная связь у транзисторов. Применить нейтрализацию обратной связи в диапазоне частот сложно. Поэтому в большинстве случаев устойчивую работу усилителя можно осуществить, выбрав меньший коэффициент усиления каскада. [23]
В УПЧ целесообразно применение полевых транзисторов с изолированным затвором ( МДП-транзисторы), так как они имеют значительно меньшую обратную проходную проводимость, по сравнению с транзисторами с р-п переходом. Основной является схема с общим истоком. [24]
Надо иметь в виду, что в процессе регулирования gv Т - образная схема не только изменяет свою проходную проводимость gnp, но и проводимость ga, шунтирующую gc и gH управляемой схемы. [25]
Здесь г / ш z / 2, г / 13 и г / 21 - входная, выходная и проходные проводимости четырехполюсника. [26]
 |
Проходная характеристика транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [27] |
В качестве дополнительного параметра транзистора, позволяющего унифицировать методы расчета транзисторных и ламповых устройств, часто используют параметр, называемый проходной проводимостью транзистора или крутизной его проходной характеристики. [28]
 |
Проходная характеристика транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [29] |
В качестве дополнительного параметра транзистора, позволяющего унифицировать методы расчета транзисторных и ламповых устройств, часто используют параметр, называемый проходной проводимостью транзистора или крутизной его проходной характеристики. Для транзистора с ОЭ проходная характеристика представляет собой зависимость / к. [30]
Страницы: 1 2 3