Cтраница 2
ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЕ - полупроводниковый прибор, в к-ром электрич. Возникающая под действием лучистого потока добавочная проводимость представляет собой фото-проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом. [16]
В фототранзисторах модуляция толщины базы приводит к модуляции фототока коллекторного перехода гфк. Следовательно, в фототранзисторах при засветке возникает добавочная проводимость коллектора. [17]
Принцип устройства и схема включения фоторезистора. [18] |
Работа различных полупроводниковых приемников излучения ( фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры) основана на использовании внутреннего фотоэффекта, который состоит в том, что под действием излучения в полупроводниках происходит генерация пар носителей заряда - электронов и дырок. Эти дополнительные носители увеличивают электрическую проводимость. Такая добавочная проводимость, обусловленная действием фотонов, получила название фотопроводимости. У металлов явление фотопроводимости практически отсутствует, так как у них концентрация электронов проводимости огромна ( примерно 1022 см 3) и она не может заметно увеличиться под действием излучения. В некоторых приборах за счет фотогенерации электронов и дырок возникает ЭДС, которую принято называть фото - ЭДС, и тогда эти приборы работают как источники тока. А процессы рекомбинации электронов и дырок в полупроводниках создают фотоны, и при некоторых условиях полупроводниковые приборы могут работать в качестве источников излучения. [19]
Падение потенциала между электродами в свободном растворе ( а и при введении мембраны ( б. [20] |
Кроме того, Бикерман указывает, что при взаимодействии с водой может происходить разрыхление поверхностного слоя стекол, кварца и других силикатов с образованием пористой пленки на поверхности. О наличии такой пленки - на поверхности стекол было ранее указано И. В. Гребенщиковым при разработке способов шлифовки оптического стекла. Наличие такой ультрапористой пленки также приводит к добавочной проводимости поверхностного слоя. [21]