Cтраница 1
Электронная проводимость обусловлена преимущественно электронами и относится к л-типу. [1]
Электронная проводимость, такие полупроволнчкр называются полупропод-ника щ i - Tiina Если же примесные атомы зазузагываюг электроны Iia валентной зоны ( акцепторная примесь), носителями тока оказываются дырки; такие полу лгюводпики называются полупроводниками / ЬтИпа Концентрапнл яримесл обычно невелика, поэтому примесные атомы ре взаимодействуют труг с другом. [2]
Электронная проводимость в подобных проводниках очень мала и в этом случае закон Фарадея соблюдается строго. [3]
Электронная проводимость ничтожно мала. Концентрация катиониых дефектов в решетке эквивалентна концентрации междоузельных катионов. [4]
Электронная проводимость очень мала. Концентрация аниоиных дефектов в решетке эквивалентна концентрации междоузельных анионов. Величина k возрастает с добавкой анионов высшей валентности. [5]
Электронная проводимость очень мала. Число катионных дефектов в решетке эквивалентно числу анионных дефектов в ней. [6]
Электронная проводимость может быть определенными воздействиями вызвана также и у чисто электролитических проводников; так, Шолль показал, что увеличение электропроводности йодистого серебра при освещении, равно как и обнаруженное фон Бедекером 2) повышение электропроводности йодистой закиси меди при прибавлении небольшого количества иода, следует отнести за счет электронной проводимости. [7]
Электронная проводимость в полупроводниках обусловлена движением электронов, но не свободных, как в металлах, а оторванных от своих атомов. Если электрон оторвался от атома, в атоме образуется свободное место, не заполненное электроном, которое назвали дыркой. Сам атом при этом оказывается положительно заряженным. [8]
Электронная проводимость в полупроводниках обусловлена движением электронов, но не свободных, как в металлах, а оторванных от своих атомов. Если электрон оторвался от атома, в атоме образуется свободное место, не заполненное электроном, которое назвали дыркой. Сам атом при этом оказывается положительно заряженным. Под влиянием электрического поля на это место может перескочить электрон из соседнего атома, тогда дырка в данном атоме исчезнет, но появится в соседнем, который в свою очередь зарядится положительно. [9]
Электронная проводимость, а также магнитные и оптические свойства этих соединений объясняются легкостью переходов электронов между двух - и трехвалентными катионами. Такие соединения являются полупроводниками с собственной проводимостью. Проводимость является их природным свойством, а не обусловлена введением примесей ( доноров или акцепторов), как это наблюдается, например, в кристаллах, кремния или германия. [10]
Электронная проводимость играет существенную роль лишь в полупроводниковых стеклах, в частности, в халькогенидных, в бесщелочных и в некоторых щелочных оксидных стеклах, в случае, если последние содержат окислы переходных элементов. [11]
Электронная проводимость почти никогда не играет рола при измерении электросопротивления пластмасс. Электронный удар может иметь место только в течение очень короткого времени непосредственно перед пробоэм образца, а также при стекании заряда с поверхности. [12]
Электронная проводимость обнаруживается в чистых ионных кристаллах, в которых ширина запретной зоны настолько велика по сравнению с работой диссоциации ионов в решетке, что преимущество в числе зарядов перевешивает резкое различие их подвижностей. Появление центров с уровнями электронов, лежащих внутри запретной зоны, изменяет эти соотношения. Перевод электронов с этих центров в свободную полосу или на эти центры из заполненной полосы требует меньшей затраты энергии и осуществляется чаще. В таких кристаллах, наряду с ионной, появляется электронная проводимость, иногда значительно превосходящая ионную. [13]
Электронная проводимость в полимерных материалах осуществляет. [14]
Электронная проводимость при небольшой толщине пленки обеспечивает протекание электрохимических процессов на границе раздела окисел - электролит. Вследствие небольшой электронной проводимости при дальнейшем росте толщины окисной пленки происходит образование запорного слоя с высоким удельным электрическим сопротивлением, резко ограничивающим плотность тока титанового анода при данном значении потенциала. [15]