Примесная электронная проводимость

Cтраница 1

Примесная электронная проводимость обнаруживается в чистых ионных кристаллах, в которых ширина запретной зоны настолько велика по сравнению с работой диссоциации ионов в решетке, что преимущественно в числе зарядов перевешивает резкое различие их подвижностей. Появление центров с уровнями электронов, лежащих внутри запретной зоны, изменяет эти соотношения. Перевод электронов с этих центров в свободную полосу или на эти центры из заполненной полосы требует меньшей затраты энергии и осуществляется чаще. В таких кристаллах, наряду с ионной, появляется электронная проводимость, иногда значительно превосходящая ионную. [1]

Траектория движения электрона в магнитном поле. [2]

В частности, удельное сопротивление р полупроводника с примесной электронной проводимостью обратно пропорционально произведению концентрации электронов п на их подвижность ип. [3]

Такое покрытие представляет собой вещество полупроводникового типа с примесной электронной проводимостью. [4]

В случае донорных примесей на локальных уровнях в ПП находятся электроны, для перевода к-рых в зону проводимости и осуществления примесной электронной проводимости ПП необходимо преодолеть сравнительно небольшую энергетич. В случае акцепторных примесей локальные уровни вакантны и на них сравнительно легко ( AW AW) могут переходить электроны из валентной зоны с образованием в последней дырок, обусловливающих примесную дырочную проводимость ПП. [5]

Существенно, что при этом число дырок не увеличивается, так как освобождение лишних электронов не разрывает междуатомных связей. В результате германий обогащается свободными электронами; примесная электронная проводимость становится в нем основной. Германий превращается в примесный электронный полупроводник. [6]

Атомы - доноры имеют в своем составе слабосвязанные электроны. Эти электроны вследствие теплового движения могут поступать в зону проводимости и обусловливать примесную электронную проводимость. [7]

Сгема кристаллического триода. [8]

На той же основе удается объяснить и явления, имеющие место в так называемых кристаллических триодах, первое описание которых появилось в 1948 году. На металлическом основании О, потенциал которого мы будем принимать за нуль, помещен кристаллик германия, обладающий примесной электронной проводимостью. Острия Э и К носят названия: Э - эмиттор, К-коллектор, и представляют собою острия из фосфористой бронзы или из вольфрама. [9]

При практическом применении полупроводников наибольшее значение имеет примесная проводимость, которая определяется примесями других веществ. Примеси бывают двух видов - донор-ные и акцепторные. Донорные примеси создают дополнительные разрешенные уровни энергии вблизи верхней границы запрещенной зоны; атомы таких примесей отдают электроны в зону проводимости и тем самым обеспечивают примесную электронную проводимость. Акцепторные примеси создают дополнительные уровни вблизи нижней границы запрещенной зоны; атомы акцепторных примесей принимают на свои уровни электроны из валентной зоны и тем самым обеспечивают примесную дырочную проводимость. [10]

При практическом применении полупроводников наибольшее значение имеет примесная проводимость, которая определяется примесями других веществ. Примеси бывают двух видов - донорные и акцепторные. Донорные примеси создают дополнительные разрешенные уровни энергии вблизи верхней границы запрещенной зоны; атомы таких примесей отдают электроны в зону проводимости и тем самым обеспечивают примесную электронную проводимость. Акцепторные примеси создают дополнительные уровни вблизи нижней границы запрещенной зоны; атомы акцепторных примесей принимают на свои уровни электроны из валентной зоны и тем самым обеспечивают примесную дырочную проводимость. [11]

При практическом применении полупроводников наибольшее значение имеет примесная проводимость, которая определяется примесями других веществ. Примеси бывают двух видов - донорные и акцепторные. Дснорные примеси создают дополнительные разрешенные уровни энергии вблизи верхней границы запрещенной зоны; атомы таких примесей отдают электроны в зону проводимости и, таким образом, обеспечивают примесную электронную проводимость. Акцепторные примеси создают дополнительные уровни вблизи нижней границы запрещенной зоны; атомы акцепторных примесей принимают на свои уровни электроны из валентной зоны и тем самым обеспечивают примесную дырочную проводимость. [12]

Малая энергия ионизации означает, что уже при температуре значительно ниже комнатной пятивалентные атомы примеси ионизуются и отдают свой электрон в зону проводимости, а при комнатной температуре практически все атомы пятивалентной примеси оказываются полностью ионизованными. Подавляющее число электронов в зоне проводимости при комнатной температуре образуется за счет пятого электрона примесных атомов. Число же электронов в зоне проводимости в результате переходов из валентной зоны, обусловливающих естественную проводимость полупроводника, очень мало по сравнению с числом электронов от примесных атомов. Поэтому примесная электронная проводимость оказывается доминирующей по сравнению с естественной, а дырочная проводимость пренебрежимо мала. [13]

Страницы: 1