Ионная проводимость - кристалл
Cтраница 1
Ионная проводимость кристаллов, Изд-во иностр. [1]
Очень высокая ионная проводимость кристаллов иодида серебра объясняется особенностями его кристаллической структуры. [2]
Относительно механизма ионной проводимости кристаллов были выска-ааны различные представления. Герни и Мотт принимали наиболее вероятную, по-видимому, схему ионной проводимости, полагая, что последняя в галогеносеребряных кристаллах осуществляется за счет передвижения ионов серебра, находящихся в междуузлиях кристаллической решетки. [3]
Наличием дефектов обусловлена ионная проводимость кристалла. В случае дефектов по Френкелю электричество переносится при движении вакансий и междоузельных ионов, причем в этом процессе обычно участвует ион лишь одного знака. [4]
Между дефектностью и ионной проводимостью кристаллов существует определенная связь. Повышенное число пустых катионных узлов - вакансий - обусловливает большую катионную подвижность и хорошую проводимость кристалла; отсутствие катионных вакансий привело бы нас практически к представлению об идеальном непроводнике. [5]
Наличием дефектов в структуре решетки обусловлена ионная проводимость кристаллов. Так, в случае кристалла AgBr переносчик электричества - катион Ag; измеряемое на опыте число переноса аниона Вг - равно нулю. При наличии дефектов по Шоттки ( кристалл NaCl) перенос заряда осуществляется как катионами, так и анионами в процессе движения катионных и анионных вакансий. [6]
На рис. 6.4 схематически изображены зависимости ионной проводимости кристалла, содержащего катионную примесь повышенной валентности, от концентрации примеси и обратной температуры. [7]
С середины 60 - х годов после открытия аномально высокой ионной проводимости кристаллов RbAgJs и Ыа2О 11А12Оз ( р - АЬОз) интенсивно начали изучать так называемую с у п е р и-онную проводимость. Суперионная проводимость является результатом высокой подвижности ионов в кристаллах некоторых веществ, обозначаемых как твердые электролиты. [8]
Образование заряженных подвижных дефектов за счет примесных атомов влияет на ионную проводимость кристалла. [9]
Таким образом, изложенная упрощенная теория дает достаточно простые выражения для ионной проводимости кристаллов с различными типами разупорядоченности. Однако для примесных кристаллов экспериментальные кривые обнаруживают подчас весьма причудливый ход, не укладывающийся в рамки изложенной упрощенной теории. Зависимость электропроводности от температуры и содержания примесей удается достаточно надежно интерпретировать лишь для тщательно приготовленных образцов, состав которых точно известен. На рис. 6.5 показан пример двух образцов NaCl, механизм электропроводности которых расшифрован достаточно надежным образом. [10]
Процесс диффузии является определяющим в скорости протекания химических реакций в твердом теле, он также ответствен за ионную проводимость кристалла. [11]
Приводя к снижению концентрации дефектов, принимающих участие в переносе заряда в электрическом поле, ассоциация типа (V.3) вызывает уменьшение ионной проводимости кристаллов. [12]
 |
Зависимость прочности кристаллического тела от плотности дефектов строения. [13] |
Дефекты в кристаллической решетке оказывают большое влияние на протекание процессов диффузии и самодиффузии, которые во многом определяют скорости химических реакций в твердом теле, а также ионную проводимость кристаллов. Распределенные нужным образом по объему кристалла дефекты кристаллической решетки позволяют создавать в одном образце области с различными типами проводимости, что необходимо при изготовлении некоторых полупроводниковых элементов. [14]
Эти представления советских физиков о дефектах кристаллической структуры реальных кристаллов оказались весьма плодотворными при теоретическом анализе разнообразных явлений и свойств твердых тел и были затем развиты в работах зарубежных исследователей - Шоттки [92], Вагнера [93], Мотта [14], Зейтца [13] Иоста [94] и других. Современная теория ионной проводимости кристаллов основана на идее существования дефектов в виде пустых анионных и катионных узлов. [15]
Страницы: 1 2