Удельная проводимость - германий
Cтраница 1
Удельная проводимость германия с различной концентрацией мышьяка зависит от температуры. Из рис. 8 - 17 видны области температур, в которых проявляются собственная и примесная составляющие электропроводности германия. Кроме того, видно, что при большом содержании примесей ( кривая б) имеем вырожденный полупроводник. [1]
Измерение удельной проводимости германия показало, что она изменяется с температурой по закону е - 435о / т Требуется определить ширину запрещенной зоны германия. [2]
При плавлении удельная проводимость германия возрастает скачком примерно в 13 раз. При дальнейшем нагреве удельная проводимость сначала почти не изменяется, а начиная с температуры 1100 С - падает. [3]
При плавлении удельная проводимость германия возрастает скачком примерно в 13 раз. При дальнейшем нагреве удельная проводимость сначала почти не изменяется, а начиная о температуры 1100 С - падает. [4]
 |
Спектральное распределение фотопроводимости германия. [5] |
При плавлении удельная проводимость германия возрастает скачком примерно в 13 раз. [6]
На рис. 3.7 приведены зависимости удельной проводимости германия от температуры при различном содержании примеси мышьяка. На рисунке видны области температур, в которых проявляются собственная и примесная электропроводности германия. При большом содержании примесей ( кривая 4) получается вырожденный полупроводник. [7]
На рис. 8 - 15 показано изменение удельной проводимости германия от температуры при различном содержании примеси мышьяка. Из рисунка видны области температур, в которых проявляются собственная и примесная составляющие электропроводности германия. Кроме того, видно, что при большом содержании примесей ( кривая 6) получается вырожденный полупроводник. [8]
 |
Зависимости удельного сопротивления германия от концентрации акцепторных ( рр и допорных ( р примесей при температуре 293 К. [9] |
На рис. 22 - 37 и 22 - 38 изображены зависимости подвижности и удельной проводимости германия n - типа от температуры. [10]
При 7300 К один из каждых 2 - 109 атомов ионизирован. Определить: а) удельную проводимость собственного германия; б) удельную проводимость германия при 7300 К, легированного элементом V группы, если на каждые 108 атомов германия приходится один атом примеси. [11]
 |
Температурные зависимости холловской подвижности основных носителей в образцах кремния, указанных на, а - ( а и на, б - ( б. [12] |
На рис. 18.28, б показано влияние концентрации акцепторных н донорных примесей на удельное сопротивление германия при комнатной температуре. При очень большой концентрации доноров примесная зона перекрывается с зоной проводимости и германий становится вырожденным. На рис. 18.38, б, в изображены зависимости подвижности и удельной проводимости германия л-типа от температуры. Графики, представленные на рис. 18.39, и, показывают влияние температуры на удельное сопротивление германия р-типа электропроводности. На рис. 18.39, б и 18.40 приведены зависи-симости коэффициента Холла от температуры для германия р - и л-типа электропроводности. [13]
Главное и очень вредное для технических приложений действие облучения на полупроводники состоит в том, что появляющиеся под влиянием облучения дефекты создают новые электронные энергетические уровни в запрещенной зоне. Эти уровни являются ловушками для носителей зарядов. Дефекты-ловушки сильно снижают времена жизни носителей, что приводит к уменьшению электропроводности. Кроме того, в ловушках накапливается пространственный заряд, искажающий электрическое поле внутри проводника и резко ухудшающий его технические характеристики. Большинство дефектов, созданных электронным или у-облучением, при отжиге рекомбинирует, после чего полупроводник почти восстанавливает свои первоначальные свойства. Нейтронное облучение создает значительно большее количество дефектов, часть которых необратима. К последним, в частности, относятся примесные атомы, возникающие посредством радиационного захватг. Этот захват обычно приводит к возникновению в полупроводнике акцепторных или донорных примесей. Основной изотоп 32Ge74 при захвате нейтрона переходит путем электронного распада в изотоп 33As75 пятивалентного мышьяка, являющегося, очевидно, донором, так как на его внешней оболочке имеется лишний для германиевой решетки пятый электрон. С другой стороны, изотоп 32Ge70, поглотив нейтрон, претерпевает позитронный распад, превращаясь в изотоп 31Ga70 трехвалентного галлия, являющегося типичным акцептором. Акцепторные уровни на радиационных дефектах появляются и при облучении другими частицами, например дейтронами. Это демонстрируется приведенными на рис. 13.5 зависимостями удельной проводимости акцепторного и донорного германия от дозы облучения дейтронами. Проводимость акцепторного образца при облучении слегка падает из-за образования дефектов, тормозящих носители тока. Проводимость донорного образца сначала падает на несколько порядков из-за компенсации донорных и акцепторных носителей. При более сильном облучении проводимость резко растет, но уже является не донорной, а акцепторной. Этот эффект может быть использован как один из методов создания р - n - переходов, необходимых для использования любого полупроводникового устройства. [14]
Главное и очень вредное для технических приложений действие облучения на полупроводники состоит в том, что появляющиеся под влиянием облучения дефекты создают новые электронные энергетические уровни в запрещенной зоне. Эти уровни являются ловушками для носителей зарядов. Дефекты-ловушки сильно снижают времена жизни носителей, что приводит к уменьшению электропроводности. Кроме того, в ловушках накапливается пространственный заряд, искажающий электрическое поле внутри проводника и резко ухудшающий его технические характеристики. Большинство дефектов, созданных электронным или у-облучением, при отжиге рекомбинирует, после чего полупроводник почти восстанавливает свои первоначальные свойства. Нейтронное облучение создает значительно большее количество дефектов, часть которых необратима. К последним, в частности, относятся примесные атомы, возникающие посредством радиационного захвата нейтронов атомами полупроводника. Этот захват обычно приводит к возникновению в полупроводнике акцепторных или донорных примесей. Основной изотоп 32Ge74 при захвате нейтрона переходит путем электронного распада в изотоп 33As75 пятивалентного мышьяка, являющегося, очевидно, донором, так как на его внешней оболочке имеется лишний для германиевой решетки пятый электрон. С другой стороны, изотоп 32Ge70, поглотив нейтрон, претерпевает позитронный распад, превращаясь в изотоп 3iGa70 трехвалентного галлия, являющегося типичным акцептором. Акцепторные уровни на радиационных дефектах появляются и при облучении другими частицами, например дейтронами. Это демонстрируется приведенными на рис. 13.5 зависимостями удельной проводимости акцепторного и донорного германия от дозы облучения дейтронами. Проводимость акцепторного образца при облучении слегка падает из-за образования дефектов, тормозящих носители тока. Проводимость донорного образца сначала падает на несколько порядков из-за компенсации донорных и акцепторных носителей. При более сильном облучении проводимость резко растет, но уже является не донорной, а акцепторной. Этот эффект может быть использован как один из методов создания р-я-переходов, необходимых для использования любого полупроводникового устройства. [15]
Страницы: 1