Cтраница 1
Входная проводимость каскада складывается из проводи-ости базового делителя и входной проводимости транзи-гора. [1]
Входная проводимость каскада состоит из активной и реактивной составляющих. В зависимости от характера нагрузки активная составляющая может иметь положительный ( 1 / Лвх) или отрицательный ( 1 / ffnx) знак. [2]
Схемы каскадов на полевых транзисторах с общим стоком и общим истоком с учетом межэлектродных емкостей. [3] |
Входная проводимость каскада с общим истоком gE имеет структуру, аналогичную входной проводимости лампового каскада. [4]
Определим входную проводимость каскада при полной нейтрализации внутренней обратной связи. [5]
Таким образом, входная проводимость каскада может быть представлена в виде проводимости параллельного соединения активного сопротивления вх - Rn и входной емкости Свх-Сц. Полученные формулы пригодны для расчета каскадов с ОБ и ОК. Если пренебречь величинами, практически не влияющими на параметры каскада, формулы приобретают следующий вид. [6]
При нагрузке на входную проводимость каскада с общим эмиттером, транзистор которого имеет в рабочей точке такие же параметры, как и транзистор эмиттерного повторителя, процесс установления в схеме протекает монотонно. [7]
Эквивалентная схема усилительного каскада с общей сеткой. [8] |
Эта формула позволяет, зная первичные параметры лампы и проводимость выходной йагрузки, вычислить входную проводимость каскада. [9]
Эта формула позволяет, зная первичные параметры лампы и проводимость выходной нагрузки, вычислить входную проводимость каскада. [10]
Принципиальные схемы каскадов с резисторным входом. а, б - на электронных лампах. б, в - на транзисторах. [11] |
Реактивная составляющая входной проводимости каскадов на транзисторах имеет индуктивный характер. [12]
Суммарная проводимость этих емкостей переменному току на промежуточной частоте должна быть в 10 - 20 раз больше входной проводимости каскада, так как в противном случае на них образуется заметное падение напряжения сигнала. Напряжение на входе транзистора и коэффициент усиления при этом уменьшаются. [13]
На рис. 57 6 представлено изменение входной проводимости в зависимости от частоты при чисто активной и чисто реактивной составляющих проводимости нагрузки. Здесь нанесены только отображения действительной и мнимой осей Кн на частотах /, равных 0 3; 1 0; 3 0; 10 0 Мгц. С помощью этого графического построения можно качественно оценить, как изменяются модуль и фаза входной проводимости каскада при чисто активном и чисто реактивном характерах нагрузки на соответствующих частотах. [14]
Выполнение предварительного УНЧ по гибридной схеме: один каскад ( входной) на полевом транзисторе, а второй ( выходной) - на биполярных, позволило наиболее полно реализовать положительные свойства вбоих приборов как активных элементов усилителя. Как известно, полевой транзистор имеет высокое входное сопротивление и сравнительно низкий уровень шумов, а биполярный - достаточно высокую крутизну. Поэтому гибридная схема ( в данном случае с непосредственной связью между транзисторами) дает возможность уменьшить входную емкость, повысить устойчивость работы и температурную стабильность режима. Нужно также отметить, что в нашем случае входной сигнал в первом каскаде но получает значительного усиления по причине небольшой крутизны полевого транзистора, а комплексная входная проводимость каскада с общим эмиттером обеспечивает значительную частотную зависимость коэффициента усиления. Включение промежуточного каскада на транзисторе ТЗ ( эмитторпый повторитель) вызвано необходимостью избежать шунтирования предыдущего каскада на нолевом транзисторе малым входным сопротивлением последующего на биполярном транзисторе. Кроме того, промежуточный эмыттерный повторитель позволяет снизить чувствительность схемы к разбросу параметров транзисторов. [15]