Избыточная проводимость
Cтраница 1
 |
Влияние TliCl4 па - потенциал. [1] |
Избыточная проводимость должна быть отнесена за счет самой желатины. Данные, относящиеся к подобному случаю, приведены в табл. 10; все измерения произведены в растворах, которые содержали одно и то же количество желатины на единицу объема. [2]
Так, избыточная проводимость Ls капилляра единичной длины, обусловленная ионами ДЭС, может быть выражена либо через KSA, либо через KSB, где А - площадь сечения, а В - периметр капилляра. [3]
Так, избыточная проводимость Ls капилляра единичной длины, обусловленная ионами ДЭС, может быть выражена либо через хИ, либо через / ( sfi, где 1Л - площадь сечения, а В - - периметр капилляра. [4]
Так, избыточная проводимость Ls капилляра единичной длины, обусловленная ионами ДЭС, может быть выражена либо через KSA, либо через KsB, где А - площадь сечения, а В - периметр капилляра. [5]
Так, избыточная проводимость Ls капилляра единичной длины, обусловленная ионами ДЭС, может быть выражена либо через KSA, либо через KSB, где А - площадь сечения, а В - периметр капилляра. [6]
Эффект поля обусловливает избыточную проводимость: Aas ф 5 Д / г e ipS Ар, где An и Ар - избыточные концентрации электронов и дырок, а ( Vs и цр6 - - подвижности электронов и дырок в приповерхностном слое. [7]
При больших отрицательных значениях eps в поверхностном слое скапливается большое число электронов и значение Aas велико. Однако Ал убывает быстрее, чем возрастает А / 7, и величина избыточной проводимости Aas уменьшается. При отсутствии поля еф5 0, что соответствует отсутствию избыточных носителей А / г Ар 0, избыточная проводимость равна нулю. Очевидно, в этом случае энергетические зоны не искривлены. При росте e ( fs поверхностная проводимость растет за счет увеличения концентрации избыточных дырок Др. Таким образом, в минимуме Aas 0 инверсируется знак проводимости в поверхностном слое. [8]
Да от ( Ef - Е сравнения показана кривая ар. Видно, что Аа растет значительно быстрее, чем ар, и превышает ее при Ef - Eri 2& 7 Возможным объяснением избыточной проводимости Да является то, что она вызвана перекрытием более высокой электронной зоны с валентной зоной. [9]
 |
Зависимость поверхностной проводимости До -. и плотности поверхностного заряда Р. от энергии в приповерхностном слое e ( pj. [10] |
При больших отрицательных значениях еф5 в поверхностном слое скапливается большое число электронов и значение ACTS велико. При малых отрицательных значениях efs число избыточных электронов Дп убывает, но возрастает число избыточных дырок Ар. Однако An убывает быстрее, чем возрастает Ар, и величина избыточной проводимости Aas уменьшается. При отсутствии поля еф5 0, что соответствует отсутствию избыточных носителей An Др0, избыточная проводимость равна нулю. Очевидно, в этом случае энергетические зоны не искривлены. При росте eys поверхностная проводимость растет за счет увеличения концентрации избыточных дырок Др. Таким образом, в минимуме ACTS О инверсируется знак проводимости в поверхностном слое. [11]
При больших отрицательных значениях eps в поверхностном слое скапливается большое число электронов и значение Aas велико. Однако Ал убывает быстрее, чем возрастает А / 7, и величина избыточной проводимости Aas уменьшается. При отсутствии поля еф5 0, что соответствует отсутствию избыточных носителей А / г Ар 0, избыточная проводимость равна нулю. Очевидно, в этом случае энергетические зоны не искривлены. При росте e ( fs поверхностная проводимость растет за счет увеличения концентрации избыточных дырок Др. Таким образом, в минимуме Aas 0 инверсируется знак проводимости в поверхностном слое. [12]
При больших отрицательных значениях еф5 в поверхностном слое скапливается большое число электронов и значение ACTS велико. При малых отрицательных значениях efs число избыточных электронов Дп убывает, но возрастает число избыточных дырок Ар. Однако An убывает быстрее, чем возрастает Ар, и величина избыточной проводимости Aas уменьшается. При отсутствии поля еф5 0, что соответствует отсутствию избыточных носителей An Др0, избыточная проводимость равна нулю. Очевидно, в этом случае энергетические зоны не искривлены. При росте eys поверхностная проводимость растет за счет увеличения концентрации избыточных дырок Др. Таким образом, в минимуме ACTS О инверсируется знак проводимости в поверхностном слое. [13]
Свободные носители, участвующие в электропроводности полупроводника и находящиеся в термодинамическом равновесии с решеткой, появляются в результате термической генерации. Они называются равновесными, а проводимость в этом случае - равновесной проводимостью. Появление свободных электронов и дырок может быть связано с другими факторами, в частности, с поглощением оптического излучения. Носители тока, возникшие в материале, минуя термическое возбуждение, называются неравновесными. Соответственно и избыточная проводимость называется неравновесной. [14]
Страницы: 1